D965由HL (豪林)设计生产，立创商城现货销售。 D965价格参考￥0.2108。 HL (豪林) D965参数名称：晶体管类型：NPN；集电极电流 (Ic)：5A；集射极击穿电压 (Vceo)：20V；功率 (Pd)：750mW；直流电流增益 (hFE@Ic,Vce)：350@500mA,2V；特征频率 (fT)：150MHz；集电极截止电流 (Icbo)：100nA；集电极-发射极饱和电压 (VCE (sat)@Ic,Ib)：1V@3A,100mA。 下载D965中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有三极管 (BJT)详细引脚图及功能的应用电路 …

The D965 is an NPN bipolar junction transistor that is widely used in low-frequency power amplification and as a stroboscope in various electronic circuits. This transistor is recognized for its ability to handle a collector current of 5A, making it suitable for medium power applications.

可以用2sd965、2sd0965、d965代替。 PNP 硅管，Vceo=20V，Ic=5A，Pc=750mW，Tf=150MHz。 可以替代的有索尼的2SD1145，可以替代但封装类型不同的有 2SC3671，2SD1244。

2024年2月17日 · D965三极管是一种双极型晶体管，其工作原理基于PN结的导电性变化。 当给定一个正向偏置电压时，PN结会变得导电，电流可以从发射区流向集电区。 而当给定一个反向偏置电压时，PN结会变为绝缘状态，电流无法通过。 在D965三极管中，基极电流控制着发射极与集电极之间的电流放大倍数。 当基极电流较小时，发射极与集电极之间的电流放大倍数也较小。 而当基极电流较大时，电流放大倍数也较大。 这种特性使得D965三极管可以被用作放大器、开关 …

发射极与基极反向漏电流（I EBO ）： 0.1 μA. 集电极与发射极饱和电压（V CE(sat) ）： 【集电极电流（Ic）＝3 A】 0.35 V

d965 产品描述 额定功率：750mW 集电极电流Ic：5A 集射极击穿电压Vce：22V 晶体管类型：NPN NPN,22V,5A 产品类别 分立半导体 三极管

D965A由FeiHong (飞虹)设计生产，立创商城现货销售。 D965A价格参考￥0.2266。 FeiHong (飞虹) D965A参数名称：集电极电流 (Ic)：5A；集射极击穿电压 (Vceo)：20V；耗散功率 (Pd)：750mW。 下载D965A中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有三极管 (BJT)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Description: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR. 4 Results. Part #: D965ASSG-X-AE3-R. Datasheet: 215Kb/4P. Manufacturer: Unisonic Technologies.

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D965 Datasheet and Replacement, Transistor Equivalent Finder, Cross Reference. AllTransistors.com. Type Designator: D965. Material of Transistor: Si. Polarity: NPN. Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.75 W. Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 42 V. Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 22 V. Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V.