In this study, we have demonstrated 3-Dimensional Stacked FET (3DSFET) with Self-Aligned Direct Back-side Contact (SA-DBC) and Back-side Gate Contact (BGC) in 4

This paper proposes a novel Direct Bonded Copper (DBC) layout for mitigating the current imbalance among the paralleled SiC MOSFET dies in multichip power modul

2025年3月18日 · In this study, we demonstrated SRAM transistors operation by adopting the highly promising 3DSFET with DBC structure. And we validated the SRAM bitcell operation through TCAD simulation by applying hardware verification of the SRAM transistor.

2023年4月23日 · 研究表明，dbc 在-50~250℃下经过 100 个热循环后会发生金属分层的失效问题， 对于高可靠性系统，相比 dbc 基板，dba 能够承受更加严苛环境下的热循环。

2023年10月14日 · 2001年，International Rectifier开发了一种称为 Direct FET 的功率封装技术。利用表面钝化分离和限定MOSFET管芯上的源极焊盘和栅极焊盘，并且将铜盖施加到功率半导体器件的顶面，将功率半导体器件与印刷电路板连接。

字节通道时钟输入（DBC 和 QBC）引脚对是专用时钟输入，用于直接驱动位片（bit slices）中的源同步时钟，在 I/O bank 中工作。 具体来说，在当前选择的时钟在 S0 和 S1 变化后从高电平转换到低电平时，输出保持低电平，直到另一个时钟（即待选择的时钟）从高电平 ...

Results show the max. current and max. power comparison of single- and parallel-die half-bridge modules at h_eff=750 W/m2K and Ta=25 ̊C. This study conducted parasitics extraction analysis, including the resistance and inductance under DC and 1 …

DBC陶瓷基板是一种通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到陶瓷表面而制成的一种复合基板。 直接覆铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理是敷接前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在 1065～1083℃，铜与氧形成 Cu-O 共晶液，DBC 技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成 CuAlO2 或 CuAl2O4 相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合；然后根据线路设计菲林贴膜曝光显影，通过蚀刻方式备制线路基板。 陶 …

2024年12月18日 · In this study, we report successful CMOS operations of 3DSFET by implementing vertical integration of a Source/Drain (SD), metal gate, and contacts including Self-Aligned Direct Backside Contact (SA-DBC) in an industry …

直接敷铜陶瓷基板 (DBC)是在铜与陶瓷之间加入氧元素，在1065~1083℃温度间得到Cu-O共晶液，随后反应得到中间相（CuAlO2或CuAl2O4），从而实现Cu板和陶瓷基板化学冶金结合，最后再通过光刻技术实现图形制备，形成电路。 DBC陶瓷基板分为3层，中间的绝缘材料是Al2O3或者AlN。 Al2O3的热导率通常为24W/ (m·K)，AlN的热导率则为170W/ (m·K)。 DBC基板的热膨胀系数与Al2O3/AlN相类似，非常接近LED外延材料的热膨胀系数，可以显著降低芯片与基板间所产 …