DDR3中的ZQ校准用于输出驱动器和 ODT ，每个DRAM的ZQ pin都被连接到外部的±1%精度的240ohm电阻，该电阻是可以在所有的Device之间共享的。 pull-up 校准 校准控制模块由如下几个部分组成：

2020年9月8日 · DDR3中的ZQ校准用于输出驱动器和ODT，每个DRAM的ZQ pin都被连接到外部的±1%精度的240ohm电阻，该电阻是可以在所有的Device之间共享的。 pull-up 校准 校准控制模块由如下几个部分组成：

2018年3月1日 · ZQ 校准. 如下图三所示， ZQ 是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。 这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ ODCE ，On-DieCalibrationEngine ）来自动校. 验数据输出驱动器导通电阻与 ODT 的终结电阻值。

2023年12月1日 · ddr3 中引入了两个与 zq 校准相关的新命令. 1.zq calibration long （ zqcl ）命令最常用于初始系统通电或设备处于复位状态时。 zqcl 命令解决了制造工艺变化的问题，并将 dram 校准到初始温度和电压设置。使用 zqcl 命令的完全校准需要 512 个时钟周期才能完成。

2020年5月19日 · ddr3中引入了两个与zq校准相关的新命令。 ZQ CALIBRATION LONG（ZQCL）命令最常用于初始系统上电或器件处于复位状态。 ZQCL命令解决了制造工艺变化的问题，并将DRAM校准到初始温度和

2024年12月10日 · 在 DDR内存 系统中，通常 ZQ Cailibration和Trainning是其中两个关键过程，用于确保内存控制器和DRAM（Dynamic Random Access Memory）之间的通信稳定性和 性能优化。 ZQ Calibration（阻抗校准）是一种用于调整内存接口阻抗匹配的过程. 为什么需要ZQ Calibration：因为芯片内部的240欧电阻是由CMOS构成，由于CMOS的天然特性，造成该电阻会随着PTV (制程，温度和电压)变化，因此必须对其进行校准。 而DDR内存上通常都会有一个ZQ …

Two new commands relating to ZQ calibration are introduced in DDR3. The ZQ CALI-BRATION LONG (ZQCL) command is most often used at initial system power-up or when the device is in a reset condition. The ZQCL command resolves the problem of manufacturing process variation and calibrates the DRAM to an initial temperature and voltage setting.

2024年3月26日 · RZQ 是一个 PCB 上阻值固定的分立电阻元件，一般选取 240 欧这个阻值。 RZQ 一端连接到 DRAM 的 ZQ pin，另一端接地。 RZQ 对电阻是有要求的，首先阻值需要足够高的精度，另外阻值随温度变化的程度尽可能小。 在设计 DRAM 系统时，会根据传输线的情况，计算或者仿真出一组信号完整性最佳的控制器输出输出阻抗与 DRAM 输入输出阻抗。 在 DRAM 初始化时，通过 MRx 模式寄存器配置选取的这个最佳值。 DRAM 调节内部输入输出阻抗值，将分压后 …

2024年8月5日 · 在LPDDR5中，用户可以选择background ZQ或command-based ZQ两种方式进行校准。 DRAM会自动进行周期性的ZQ Calibration，得到合适的驱动/ODT（片上终结）电阻值，并在适当的时候通过发送ZQ latch命令来更新这些值。

DDR3内存的读写操作可以分为两种模式：背靠背（Back-to-Back）和非背靠背（Non-Back-to-Back）。在背靠背模式下，读写操作连续进行，每个时钟周期都执行，没有间隔。而非背靠背模式则允许读写操作之间存在间隔。