2024年11月5日 · 对于ddr1 sdram应用中的地址总线控制信号和数据总线信号都有端接电阻。需要一个没有任何的噪声或者电压变化的参考电压(vref)，用作ddr sdram输入接收器，vref也等于1/2 vddq。vref的变化将会影响存储器的设置和保持时间。 2、为什么需要vtt

2019年11月8日 · 比较大的区别在于，DDR4中取消了VREFDQ，增加了Vpp。 Vpp并非用于替代VREFDQ，Vpp是为DDR4内部的word line供电，从而保证DDR4的内核可以使用1.2V供电。也就是说，DDR4内核电压的下降一部分原因是由于引入了Vpp。Vpp的电流Ipp为窄脉冲电流，幅值在20mA~60mA之间。 图 2 Ipp电流 ...

2024年10月14日 · 为了强调为什么 DDR4 中需要这个可变的 Vref，可以通过一个简单的 DDR3 和 DDR4 驱动器模型来理解，它们驱动一个终结电阻（Rtt）分别达到所需的高低电平电压值。

2022年7月5日 · 在 ddr4 中，数据线 [dq] 的端接样式从 ctt（中心抽头端接，也称为 sstl 系列螺柱端接逻辑）更改为 pod（伪开漏）。 这样做是为了提高高速信号完整性并节省 IO 功率。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。 DDR4:第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为DDR4 SDRAM）。 // 感兴趣的话可以做一些仿真（sigrity: 时域、频域、电热仿真等） 详细内容参考B站更新的sigrity仿真内容. Sigrity-Power SI- …

award, includes an investigation of DDR4’s pseudo open drain driver and what its use means for power consumption and Vref levels for the receivers. This paper also examines a DDR4 system design example and the need for simulating with IBIS power aware models versus transistor level models for simultaneous switching noise characterization.

A detailed tutorial on DDR4 SDRAM Initialization, Training and Calibration. Exploring topics such as Read/Write Training, ZQ Calibration, Vref Training, Read Centering, Write Centering, Write Leveling and Periodic Calibration.

The Vref training is required for DDR4 and is enabled by default to be run. If you are running into issues I would be looking at your data eye and do some signal integrity adjustments/measurements from there.

UltraScale includes several changes to internal VREF including a much finer resolution of VREF for DDR4 read VREF training. Additionally, internal VREF is based on the VCCO supply enabling it to track with VCCO.

With the introduction of Per DRAM Addressability (PDA) in DDR4 memory and the internal VREF combined, discussed in this paper is a novel approach to determine the best VREF settings for a given topology.