DVS测试的目的： DVS测试即Dynamic voltage stress test，动态电压测试，和经常提到的DVS Dynamic Voltage Scaling（动态电压调节）是两个不同的概念，请大家区分。 随着先进工艺的飞速发展，小的residue和particl…

ELFR是早期失效的试验验证，它是要求每批800个共3批样本开展试验，来证明产品早期故障率符合规定的一种试验。 150℃、48h的试验按照0.7活化能算下来相当于55℃下运行12500h。 1/（800\times3\times12500）=33PPB ，那么就证明其早期失效率小于33PPB，也就是0.033PPM。 125℃、48h的试验按照0.7活化能算下来相当于55℃下运行3750h。 1/（800\times3\times3750）=111PPB ，那么就证明其早期失效率小于111PPB，也就 …

2001年4月30日 · In this paper, a /spl sim/2/spl times/ improvement on average was achieved in early life failure rate (ELFR) reduction by applying a dynamic voltage stress (DVS) test at the chip probing (CP) stage.

可以在40nm的flash IP的产品中采用SCAN和MBIST测试，实现故障覆盖率DC95%和AC80%。 台积电研究了一种0.25um逻辑技术6晶体管SRAM在FT（Final Test）环节的DVS筛选测试方法，并将改进后的DVS测试方法应用于台积电0.18um逻辑技术6晶体管SRAM的CP环节测试。

2022年10月25日 · ELFR规范用于评估使用新的或未经验证的加工技术或设计规则的产品，是以一种验证早期寿命失效特性的测试方法。 包括没有应用或使用经验或通用数据的产品。 如果测试不通过表明该产品需要采取纠正措施，产品可能需要改变加工、设计、老化或采用更严格的老化设计，或采用统计零件测试来设计极限值 (见AEC-Q001)。 表格中信息介绍和解读. 表格中的信息给出，ELFR的分类是B2，Notes中包含了H、P、B、N、G也就是说要求密封器件、塑封器件、要 …

此外，burn in测试和我们平时提到的EFR也不尽相同，EFR更偏抽样测试，执行测试的时间也更长（48~168h)。 具体可参考：

TDBI一般是可以真正意义上实现function test during BI. 目前据了解在存储器类和一些高密度封装器件上国外已经有这种技术与机器了。 早期失效EFR：目的是通过试验得到产品的早期失效率，所以试验的样本量较大。

ELFR是在浴缸曲线的早期失效评估，需要较大的sample数量。 Efr的sample是和DPPM目标相关，3012颗在60%CL下是300DPPM，2400颗大概是400 DPPM。 1833零fail,就是500 DPPM，具体可以参考JESD47，里面有详细的解释，用卡方分布计算。 另外, 77颗*3个lot ，一共231颗 …

21 小时之前 · MCU运行时动态电压调节 (DVS)技术详解 动态电压调节 (Dynamic Voltage Scaling, DVS)是低功耗MCU (如N32L4)实现能效优化的关键技术，允许处理器根据工作负载实时调整供电电压。

2023年12月10日 · 利用DVS技术，可以在设定点附近调整输出电压，以补偿负载瞬变并提供更严格的调节。 如图1所示，负载瞬变后的电压波动通常比电源电压的直流精度限值高出许多倍。