Nexperia's DFN1006 leadless ultra-small MOSFET package, with 1.0 x 0.6 mm footprint. Two package variants with different heights, DFN1006-3 (0.48 mm) & DFN1006B-3 (0.37 mm). Offering low R DS (on), high I D and low voltage drive for use in mobile and portable applications. How DFN packages reduce device size while ...

X2-DFN1006-3 Embossed Carrier Tape Specifications a) P = 2.0mm, Part Number Suffix -7B W b) P = 4.0mm, Part Number Suffix -7, -7R Tape Width (W) Dimension Value (mm) Dimension Value (mm) Dimension Value (mm) 8mm A0 0.69 ±0.05 E 1.75 ±0.10 P0 4.0 ±0.10

Surface mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size. Pulse Test : Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures. Guaranteed by design, not subject to producting. Max. 0.05 REF.

Mouser提供DFN-1006-3 N-Channel MOSFET 的庫存、價格和資料表。

2003年4月3日 · 3D model - SOT883 (DFN1006-3) plastic, leadless ultra small package; 3 terminals; 0.35 mm pitch; 1 mm x 0.6 mm x 0.48 mm body

Mouser提供X1-DFN1006-3 MOSFET 的庫存、價格和資料表。

TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。 该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。 TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（ …

Mouser提供DFN-1006-3 MOSFET 的库存、定价和数据表。

DMP31D0UFB4-7B X2-DFN1006-3 是由美台半导体公司（DIODES）生产的一款 N 通道增强型 MOSFET，采用 X2-DFN1006-3 封装。 该产品是一款低导通电阻、低栅极电荷的器件，适用于各种需要快速开关性能的应用场景，如电源管理、电机控制、LED 驱动等。 2. 产品参数. 以下表格列出了 DMP31D0UFB4-7B X2-DFN1006-3 的主要参数： | 参数 | 值 | 单位 |. |---|---|---|. | 漏极源极间电压 (V DSS) | 30 | V |. | 漏极电流 (I D) | 14 | A |. | 导通电阻 (R DS (on)) | 4.5 | mΩ |.

2024年10月23日 · dfn1006：由于其小尺寸和低寄生电容，适合高频信号应用，能够有效保护rf和高速信号。 0402：频率响应较好，但受限于尺寸和封装特性，不如dfn1006。 sod-882：适合中低频应用，频率响应一般。 2.3 散热性能. dfn1006：优秀的散热性能，能够在高温环境中稳定工作。