AP250N06GF DFN8X8-4L AP250N06GF XXX YYYY 5000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V ... AP250N06GF 250A 60V DFN8*8-4L Author: 永源微电子 Subject: www.apm-mos.com Keywords:

下载GC180N65D8中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有场效应管 (MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

该参考设计提供了使用4引脚MOSFET封装（DFN8×8）最大限度提高开关性能和效率的示例电路，该封装有助于降低封装电感。 介绍了DFN8×8封装的特点，4引脚结构，与传统的3引脚封装相比，还有一个用于栅极驱动电路的源极端子。 介绍了4引脚封装的特点，与3引脚的封装相比，它实现了较小的栅极信号振荡和较低的开关损耗，因为4引脚封装不受源极接线寄生电感的影响。 我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。 请单击每个选项卡，将其用于电路设计 …

DFN8X8-8L 6.9*3.2mm DFN8X8-2L 7.2*5.6mm DFN5X6-8L 4*3.4mm DFN4X2-14L 2*0.8mm DFN3X3-8L-B 2.4*1.7mm DFN3X3-8L 2.6*1.6mm DFN3X3-6L 1.78*0.6mm DFN2X2-8L 1.6*1.0mm ... DFN1010-4L 0.6*0.6mm DFN1006-3L 0.45*0.45mm DFN1006-2L-B (-380) 0.45*0.32mm DFN1006-2L-A 0.45*0.45mm DFN0603-2L 0.23*0.2mm

Download package data for CAD tool, such as 3D model data in STEP format and reference land pattern data designed following JEITA ET-7501 Level3. On this page you can find the dimensions and packing method for Toshiba Semiconductor's DFN 8x8 package.

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• 介绍了4引脚封装的特点，与3引脚的封装相比，它实现了较小的栅极信号振荡和较低的 开关损耗，因为4引脚封装不受源极接线 寄生电感 的影响。 注意：请使用浏览器自带下载，迅雷等下载软件可能无法下载到有效资源。 欢迎加入EEWorld参考设计群，也许能碰到搞同一个设计的小伙伴，群聊设计经验和难点。 入群方式：微信搜索“helloeeworld”或者扫描二维码，备注：参考设计，即可被拉入群。 另外，如您在下载此设计遇到问题，也可以微信添加“helloeeworld”及时沟通。

2020年2月29日 · UnitedSiC 新推出的两款DFN8X8-4L封装650V SiC FET: UF3SC065030D8S 、 UF3SC065040D8S，典型导通电阻分别为34mΩ与45mΩ。 这种 SiC FET是基于一个独特的“共源共栅”电路配置：其中一个常开式的SiC JFET与一个Si MOSFET共封装，以产生一个常闭式SiC FET。 该元器件的标准栅极驱动特性允许其可以真正的替代Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs或Si superjunction器件。 该元器件采用DFN8X8-4L封装，具有超低的栅极电荷和卓越的反向恢复 …

这是dfn8x8-4l(2.0)开尔文测试座dfn4烧录座间距2.0mm芯片测试座厂家的详细页面。 品牌:HM，型号:老化座/测试座，种类:测试座，绝缘体材质:PPS，规格:标准品DFN4-2.0(8*8)翻盖开尔文弹片测试座，电子元器件:集成电路IC测试。

型号 ：dfn8x8-4l(2.0)翻盖式开尔文品牌 ：skt封装方式 ：dfn4产地 ：中国大陆引脚数 ：4个颜色分类 ： 测试座-光座,光座+转接板(未焊接),测试座-带板