图一、二显示波形于示波器上，但可以看到Vgs都大于30V，等于超过datasheet定义的Vgs电压上限值。 理论上来说会MOS应该要损坏，或者用料上并无MOS可以符合这个条件的使用。 但此现象其实很多时候都源自于示波器碳棒的设置误判问题。 碳棒可能会因为测量点、接触点、准位点、地线长度、靠近磁性元件干扰等各式各样的设置问题而让示波器波无法呈现出真实的样貌。 （图三：差动碳棒配置图四：错误的测量方式：焊接MOS点为PCB版） 为避免这样的状况发生，碳 …

VGS(th)，VGS(off)：阈值电压. VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，VGS(th)的变化范围是规定好的。

vgs（栅源电压） 定义与作用. vgs是指mosfet的栅极（g）与源极（s）之间的电压。它是控制mosfet导通与截止的关键参数。对于n沟道增强型mosfet，当vgs大于开启电压（vth）时，mosfet导通；当vgs小于vth时，mosfet截止。

2023年12月25日 · MOSFET 的栅极阈值电压 Vth 是在其源极和漏极区域之间产生传导通道所需的最小栅偏压。 考虑驱动电路和驱动电流时， MOSFET 的栅极电荷 Qg 比其电容更加重要。 图 1.4 所示为增加栅极电压所需的栅极电荷的参数定义。 1.2.2. 计算 MOSFET 栅极电荷. MOSFET 开启期间， 电流流到其栅极， 对栅源电容和栅漏电容充电。 图 1.5 显示了栅极电荷的测试电 路。 图 1.6 显示了对栅极端子施加恒定电流时获得的栅源电压随时间变化的曲线。 由于栅电流恒定， …

2024年8月2日 · VGSth（栅极到源极阈值电压）：是 MOSFET 开始导通所需的最小栅极电压。 当VGS达到VGSth时，MOSFET从截止状态转变为导通状态。 VGSth是MOSFET的一个特性参数，通常在器件的数据手册中给出，且会受到结温、漏极电压和漏极电流的影响。 VGS（栅极电压）：是实际施加在栅极与源极之间的电压。 VGS是动态的，可以在电路中根据需要进行调节。 VGS的值必须高于VGSth，以确保MOSFET能够导通。 2. 理解VGSTH. VGSTH是器件导通的 …

2021年6月2日 · MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。

2023年10月5日 · 可以用一个简单的公式表示：VGS = VTH + Vds。 其中，Vds 是源极和漏极之间的电压。 从这个公式可以看出，只要 Vds 足够大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以使 MOS 管导通。 因此，在实际应用中，我们通常关注 Vds 的大小，而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。 在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过 …

2024年9月29日 · 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。 通过深入理解MOSFET内部电压关系,提升电路性能和设计质量。

conditions can be passed: VGS=+20V/-10V, Tj=175℃, t=1000 hours； ② Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with thermal bias to bottom layer 1inch square copper plate； ③Practically the current will be limited by PCB, thermal design and operating temperature. VGS=10V. Disclaimer

电容器检测方法主要分为三个大类：可变电容器的检测、电解电容器的检测、固定电容器的检测。 1、可变电容器的检测 A用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。