固定偏压，改变探测点，又称dI/dV mapping，即dI/dV(r)，局域电子态密度LDOS随空间的变化。 下图是dI/dV技术在单量子点精细量子态探测中的应用。 Banin U, Cao Y, Katz D, et al. Nature, 1999, 400(6744): 542-544.

Scanning tunneling spectroscopy (STS), an extension of scanning tunneling microscopy (STM), is used to provide information about the density of electrons in a sample as a function of their energy. In scanning tunneling microscopy, a metal tip is moved over a conducting sample without making physical contact.

量子隧穿效应 （Quantum tunneling effect）指的是，像电子等微观粒子能够穿入或穿越位势垒的 量子 行为，尽管位势垒的高度大于粒子的总能量。 在经典力学里，这是不可能发生的，但使用量子力学理论却可以给出合理解释。 如图2所示。 [1] 将样品和针尖看作两个电极，如图3所示 [2] 将他们之间的真空层看作为势垒区域（仅仅几个 Å 宽），这样就可以把这种 样品-真空-针尖 的结构类比成金属-绝缘体-金属的隧道结。 现定义样品的费米能级与真空能级的能量差为功函数，用 …

Extracting a single “slice” (dI/dV map) at any desired energy approximately reveals spatial distribution of the density of states. An example of a dI/dV map can be seen in Figure 2, and shows magnetic vortices in doped Fe-based high-temperature superconductor BaFe2As2.

可以说di dv dn 这个三个每个都可以得出一个d50值。 di 应指是光强 dv 体积 dn 数量 后两个是计算机根据di通过一些列的运算得到的。 不同的文献采用的不同 我想应先确定你用 di dv dn 这三个其中一个来表征你的样品，然后再说d50

So we employ a lock-in amplifier to modulate the bias voltage by dV (typically a few mV) around a DC voltage V of interest. As a result of the voltage modulation dV we can measure a current modulation dI. We call this dI/dV the conductance g (V). Now, we can write:

文章介绍了扫描隧道显微术中微分谱学的原理及其在实验中的诸多应用.微分谱(dI/dV谱)和dI/dV成像可用来研究电子局域态密度在能量和空间的分布，即微分谱固定空间一点，反映电子态密度以能量为变量的分布；而dI/dV图像则反映某给定能量的电子局域态密度以 ...

dI/dV 谱就直接反映出了样品的态密度信息。 STM探针 所据有的原子级的空间分辨，使得I-V 谱或dI/dV 谱 可以用以检测局域的具有空间分辨的电子态密度信息。

就实验测量而言，这一准粒子最直接的表象就是，在 STM / STS 之 (dI/dV) 能谱中，位于零偏压处 (即超导能隙中心位置) 附近，会出现零能模态 (dI/dV 尖峰)。图 2(A) 清晰地展示了这一物理，感兴趣读者可前往阅读原文。

2020年4月28日 · 在样品与针尖足够近，且在二者之间施加偏压（bias voltage，以下简写为V）时，由于隧道效应，样品原子与针尖之间会形成隧道电流（tunneling current，以下简写为I）。 针尖在不同 (x,y,z)的位置时I都不同，STM本质上就是根据I (x,y,z)函数来进行成像。 当V<0，电子从样品向针尖流动，当V>0，电子从针尖向样品流动。 STM有两种模式： (1)常高模式（constant height mode）：针尖保持在特定的z位置，对x和y做二维扫描，这样得到的图像就体现出不同 …