2021年10月19日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电 …

2017年5月25日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都 …

2020年4月8日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。

2024年11月7日 · 现在想利用深N阱将该NMOS管的S端和B端进行连接，请问应该怎样进行绘制. 烦请各位大佬，指教一下（最好说的简单一点，本小白不胜感激！ 图示这种。 核心是需要n阱给深N阱提供电位，二者之间要有足够的重合。 其他的以能通过DRC为准。 Deep nw吗？ 图示这种。 核心是需要n阱给深N阱提供电位，二者之间要有足够的重合。 其他的以能通过DRC为准。 ... Deep nw吗？ 就按普通NMOS那样连DSGB四端，只不过这个管子做在DNW上，最后DNW的外 …

2021年12月27日 · DNW這道製程就是要讓NMOS的Bulk端不用全接到GND，根據電路設計的需求，也可以接到Source或其他的電位。 如下圖的NMOS，利用NW和DNW把其Bulk和P-Substrate隔開，而不是接到GND。

2015年5月7日 · Planet Analog Explores Using Deep N Wells To Reduce Substrate Noise and Fully Isolate NMOS Devices. Visit Today To Learn More.

2014年6月11日 · 最近我在用TSMC .18 Mixed-signal 的工艺，知道其中有Deep Nwell NMOS的器件。 最近我想把我所有的数字电路放到Deep Nwell 中好实现与衬底的隔离，但是每次过LVS时都会遇到问题。 通过对简单反相器的LVS测试发现 Calibre 自动将Deep Nwell 上面的普通NMOS识别成Deep Nwell NMOS， 从而导致LVS error. 可是问题是我想要放到DNW中的是数字电路标准单元，不能简单的改变库中元件的类别而通过LVS。 所以现在没想到什么办法。 感觉这个问题应 …

Deep NWELL, abbr. DNW, is used in P substrate process, shown in figure 1. There are two main purpose to use DNW in a silicon process: (a) One is to achieve separated NMOS, manufactured in DNW. (b) Another purpose is to isolate certain blocks to …

2022年12月26日 · 深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。 于一般的 PMOS 而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。 DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。 因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。 除了电位上的隔离，比如 …

2024年7月26日 · NBL （N-type buried layer）顾名思义埋层，一般NBL在DNW的下面，NBL有点像一个房间的地板，DNW有点像是墙，两者共同把器件包起来进行隔离。 依然以东部1860工艺库为例介绍。