2025年1月26日 · 深紫外曝光技术（Deep Ultraviolet Lithography, DUV）是通过使用波长在2000~3000埃的光源来提高光刻图形的分辨率。 相比于传统的 4 000埃左右的 紫外光 ， 深 紫外光 的波长短，使得能够形成更精细的线路，从而提升集成电路...

2025年2月12日 · 已知ASML最强的DUV从1980I到2150I都为浸没式+1.35NA值，所对应的分辨率通通为38nm （由于技术发展此38nm对应的工艺制程为28NM芯片）。结果就是国产光刻机如果浸没式技术突破+加上镜片技术小幅提升那么新的光刻机大概能做到41nm分辨率。

2025年1月3日 · 这款光刻机已经达到了ArF光刻机的顶级水平 ，再进一步就是浸润式DUV光刻机（ArFi）了。 两个消息相互印证说明， 国产浸润式DUV光刻机 （ArFi）确实取得了重大突破 ； 实际上 ArF光刻机与浸润式DUV光刻机在光源和工作台方面相似，主要区别在于浸润式系统，即在 ...

2024年9月19日 · 工信部公开推广两款国产DUV光刻机，最小套刻≤8nm，多只光刻机概念股走强。 2 . 氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度，与 ...

下面我们分别选择一款DUV和EUV光学系统，进一步探秘他们的光学设计。 DUV光刻系统实例： 文献信息： 美国专利-US20100323299A1. 厂家：Carl Zeiss. 波长：DUV -193.304nm. 类型：18P浸液微缩投影镜头. 文献-光学系统Layout： 文献-光学系统数据： 文献-非球面面型系 …

2024年7月29日 · DUV（Deep Ultraviolet），深紫外光刻，是介于Vacuum UV（157nm，F2）与UV（365nm，i line）之间的光线，一般是指KrF(248nm),ArF(193nm)两种波长。 而浸没式光刻机则以ArF为主，浸没式光刻机 晶圆 与透镜之间引入高折射率的液体（如水），大大提高了光刻分辨 …

干式DUV采用的是空气作为光线传播的介质，浸润式DUV采用的是水来做光线传播的介质，而光线在水中产生折射，193nm波长的光源，折射后等效成13nm了，波长更短，于是分辨率更高了。

3 天之前 · 据国际光电工程学会（SPIE）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射193纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光

3 天之前 · 近日，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光 ...

4 天之前 · 据国际光电工程学会（SPIE）报道，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），该波长目前被用于半导体曝光技术。