2025年1月26日 · 深紫外曝光技术（Deep Ultraviolet Lithography, DUV）是通过使用波长在2000~3000埃的光源来提高光刻图形的分辨率。 相比于传统的 4 000埃左右的 紫外光 ， 深 紫外光 的波长短，使得能够形成更精细的线路，从而提升集成电路...

半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是 紫外全谱 (300～450nm)、 G 线 (436nm)、 I 线 (365nm）、 深紫外 (DUV，包括248nm和193nm)和 极紫外 (EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。

2021年12月21日 · DUV：深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography） EUV：极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography） 一、DUV技术由日本和荷兰独立发展： ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。 2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向： 其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。 该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。 其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介 …

EUV, DUV, XUV 以及 UV, VUV 都是电磁波波段分类的简称。 XUV：0.1～10nm. （3）注意：波长不是分辨率！ 他们之间的关系是 分辨率=k*波长/NA. NA是数值孔径；k 是常数，由成像系统决定，一般为0.5 或 0.61. EUV, DUV, XUV 以及 UV, VUV 都是电磁波波段分类的简称。 （1）它们的全称分别是UV = ultraviolet EUV = extremely ultraviolet VUV = vacuum ultraviolet DUV = deep ultraviolet XUV = X-ran ultraviolet（2）它…

2024年4月18日 · duv (248纳米至193纳米)，如arf激光波长的193纳米，主要在光刻工艺中用于制造更精细的半导体器件。 XUV (0.1到10纳米) ，这个区间极其微小，通常在高能物理和材料科学实验中发挥重要作用，探索原子层面的结构和反应。

下面我们分别选择一款DUV和EUV光学系统，进一步探秘他们的光学设计。 DUV光刻系统实例： 文献信息： 美国专利-US20100323299A1. 厂家：Carl Zeiss. 波长：DUV -193.304nm. 类型：18P浸液微缩投影镜头. 文献-光学系统Layout： 文献-光学系统数据： 文献-非球面面型系 …

2022年1月21日 · DUV(深紫外光) 這可是市面上最多的曝光機種類，波長從248nm到193nm，他們已經算是成熟的產品了，而且主要適用的範圍也是成熟的製程，極限也大約是在60nm。

2024年9月20日 · DUV 光刻机，全称为深紫外光 光刻机 （Deep Ultraviolet Lithography Machine），是用于制造 半导体 芯片 的设备之一。 它使用深紫外光（波长通常为193纳米）进行光刻，将微小的电路图案印刻在硅片上。 相比于更先进的EUV光刻，DUV光刻仍然是目前 半导体 制造中最广泛使用的技术，尤其是在14纳米及以上制程节点中。 DUV 光刻机 （Deep Ultraviolet Lithography Machine）是一种使用深紫外光进行 半导体 芯片 制造的设备，主要用于28纳米及 …

深紫外（DUV，波长λ < 200 nm）非线性光学（NLO）晶体是变频产生深紫外激光的核心部件，在尖端激光技术和基础科学中发挥着重要作用。 近三十年来，深紫外非线性光学晶体领域的实验探索和理论设计都取得了重大进展。

2023年4月16日 · 上一篇小哥里，我们讨论了蔡司光学如何构建duv光刻光学系统的基本概念，以及如何拓展到高数值孔径镜头的设计。 整整120年前的1902年，国外蔡司科学家Moritz von Rohr开发了280纳米和275纳米波长的DUV分光镜。