2025年1月26日 · 深紫外曝光技术（Deep Ultraviolet Lithography, DUV）是通过使用波长在2000~3000埃的光源来提高光刻图形的分辨率。 相比于传统的 4 000埃左右的 紫外光 ， 深 紫外光 的波长短，使得能够形成更精细的线路，从而提升集成电路...

2021年12月21日 · DUV和EUV最大的区别在光源方案。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。鉴于DUV涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片。

EUV也就是极紫外光刻胶，使用波长为13.5nm的紫外光，可以用于10nm以下的先进制程，但目前EUV光刻机只有荷兰ASML能制造。 在当下这个2021年，正处于EUV光刻技术诞生，已经流行20年之久的KrF、ArF光刻胶即将面临技术变革的时期。 02 半导体光刻胶生产厂家. 东京应化：全球光刻胶龙头. 东京应化 (TOK)是历史悠久的日本化学材料企业之一，成立于1940年，在1968年、1972年先后开发出半导体用正型胶和负型胶后，一直以成为光刻胶龙头供应商为目标，走在半导体微 …

EUV, DUV, XUV 以及 UV, VUV 都是电磁波波段分类的简称。 XUV：0.1～10nm. （3）注意：波长不是分辨率！ 他们之间的关系是 分辨率=k*波长/NA. NA是数值孔径；k 是常数，由成像系统决定，一般为0.5 或 0.61. EUV, DUV, XUV 以及 UV, VUV 都是电磁波波段分类的简称。 （1）它们的全称分别是UV = ultraviolet EUV = extremely ultraviolet VUV = vacuum ultraviolet DUV = deep ultraviolet XUV = X-ran ultraviolet（2）它…

2022年1月21日 · duv(深紫外光) 這可是市面上最多的曝光機種類，波長從248nm到193nm，他們已經算是成熟的產品了，而且主要適用的範圍也是成熟的製程，極限也大約是在60nm。

DUV和EUV最大的区别在光源方案。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。鉴于DUV涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片。

2024年9月20日 · DUV 光刻机，全称为深紫外光 光刻机 （Deep Ultraviolet Lithography Machine），是用于制造 半导体 芯片 的设备之一。 它使用深紫外光（波长通常为193纳米）进行光刻，将微小的电路图案印刻在硅片上。 相比于更先进的EUV光刻，DUV光刻仍然是目前 半导体 制造中最广泛使用的技术，尤其是在14纳米及以上制程节点中。 DUV 光刻机 （Deep Ultraviolet Lithography Machine）是一种使用深紫外光进行 半导体 芯片 制造的设备，主要用于28纳米及 …

2024年10月19日 · 光源产生duv，照射在掩模上。 从掩模到晶圆表面，这中间需要经过极为复杂的光路，即投影光路。 投影光路设计主要有两大类：折射式设计与反射式设计，后者主要用于EUV，暂且按下不表。

2023年2月24日 · duv主要利用光的折射原理，通过浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193纳米的光波等效至134纳米。 而EUV利用的光的反射原理，由于使用的光线波太短，内部必须为真空操作，来减少空气流动波和空气折射率引入的测量差。

2024年4月18日 · DUV (248纳米至193纳米)，如ArF激光波长的193纳米，主要在光刻工艺中用于制造更精细的半导体器件。 XUV (0.1到10纳米)，这个区间极其微小，通常在高能物理和材料科学实验中发挥重要作用，探索原子层面的结构和反应。 别被这些波长的数值所迷惑，真正的关键在于它们如何影响成像和分辨率。 分辨率其实是由波长、数值孔径（NA）以及常数k共同决定的，公式是 分辨率 = k * 波长 / NA。 通常，k的值在0.5到0.61之间，数值孔径的大小决定了成像系统的精 …