2025年1月26日 · 深紫外曝光技术（Deep Ultraviolet Lithography, DUV）是通过使用波长在2000~3000埃的光源来提高光刻图形的分辨率。 相比于传统的 4 000埃左右的 紫外光 ， 深 紫外光 的波长短，使得能够形成更精细的线路，从而提升集成电路...

摘 要：随着algan基深紫外发光二极管(duv led)的发展，其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应 用，在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。 这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞

2021年5月9日 · 深紫外发光二极管（deep-ultraviolet light-emitting diode, DUV-LED）具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势。 近年来，深紫外LED技术取得了快速发展，主要体现在光效和可靠性不断提高，这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术 ...

2021年12月21日 · DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。 DUV和EUV最大的区别在光源方案。 EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。

DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。 DUV和EUV最大的区别在光源方案。 EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。

duv光刻技术，作为半导体制造中的老牌选手，其工作原理基于深紫外光的光化学反应。 这种技术主要使用波长为193nm至248nm的深紫外光，通过精密的光学系统将光束聚焦到光刻胶上。

2020年9月18日 · 针对高质量外延生长和高效p型掺杂以及AlGaN基DUV-LED器件研制，沈波教授详细分享了最新的研究进展、方法与关键。 其中，关于外延生长和p型掺杂涉及高质量AlN的外延生长、高内量子效率AlGaN基多量子阱的外延生长、高Al组分AlGaN的高效p型掺杂。

2019年12月2日 · 而基于宽禁带半导体材料（GaN，AlGaN）的深紫外发光二极管（deep ultraviolet LED: DUV LED）成为这一新应用的不二选择。 这一全固态光源体系体积小、效率高，寿命长，仅仅是拇指盖大小的芯片，就可以发出比汞灯还要强的紫外光。

美国研究人员通过在 280 nm DUV LED 的蓝宝石背面制作微透镜阵列，在 20 mA 注入电流下光输出功率提高 55%。 韩国研究人员的模拟结果显示，纳米柱结构能够非常有效的提高 DUV LED 的光提取效率，尤其是增加 TM 的光提取。

2018年11月4日 · 华中科技大学教授陈长清带来了深紫外duv-led发光效率的提升策略的报告，结合具体的研究过程，他表示研究实现了在纳米图形化衬底上生长无裂纹的厚膜aln层，纳米图形化衬底的实现是通过步进光刻机和icp的刻蚀，…

2022年3月17日 · Deep-ultraviolet (DUV) solar-blind communication (SBC) shows distinct advantages of non-line-of-sight propagation and background noise negligibility over conventional visible-light communication. AlGaN-based DUV micro-light-emitting diodes (µ-LEDs) are an excellent candidate for a DUV-SBC light source due to their small size, low power ...

duv技术用于光刻是完全基于投影光学的自模上的掩模比最后在光刻胶上显现的图案大得多。 光学系统 193纳米光刻工具被称为 折射率光学系统 。

下面我们分别选择一款DUV和EUV光学系统，进一步探秘他们的光学设计。 DUV光刻系统实例： 厂家：Carl Zeiss. 波长：DUV -193.304nm. 类型：18P浸液微缩投影镜头. 文献-光学系统Layout： 文献-光学系统数据： 文献-非球面面型系数： ZEMAX复现分析： Layout: Spot Diagram: Field Curve & Distortion: 其他信息： 光学设计分析： 1. 材料选择： 当波长涉及到紫外区时，常规玻璃吸收率很大，因此能使用的材料较少。 该镜头工作波长 193nm，使用了 合成石英 以实现较高 …

2024年8月14日 · 而 DUV ，全称Deep Ultra-violet Lithography，则是利用波长较短的深紫外线进行光刻。它的光源通常为准分子激光，波长在193纳米左右，也有使用248纳米等波长的型号。

滨松提供 duv-led 光源，以 280 nm 的波长发射深紫外光。 这款 duv-led 光源能够分别驱动 4 个灯头，但设计紧凑，只有手掌大小。

2019年3月22日 · It has been demonstrated that for 294-nm DUV top-emission LEDs, the deposition of a thin layer of Al enhanced the peak photoluminescence intensity, attributed to the higher LEE via SP–TM wave ...

2025年2月27日 · 深紫外发光二极管（Deep Ultraviolet LED，简称DUV LED）是指发射波长在200纳米（nm）到400纳米（nm）范围内，更具体地说，通常指波长小于300nm的发光二极管。 它是一种紫外光源，与常见的照明LED有一定的区别，具有独特的发光特性和广泛的应用前景。 DUV LED在杀菌消毒领域具有显著效果，能够破坏微生物的DNA或RNA结构，从而达到杀菌消毒的目的。 随着人们对公共卫生和食品安全的重视程度不断提高，DUV LED在医疗、卫生、食品加工 …

2024年8月13日 · In this study, we merged bandgap engineering with device craft to systematically improve the emission performance of an AlGaN-based DUV LED at an emission wavelength of ~270 nm. First, a tailored...

2024年10月16日 · DUV技术原理与应用. DUV，全称Deep Ultra-violet Lithography，即深紫外光刻技术。它利用波长较短的深紫外线进行光刻，光源通常为准分子激光，波长在193纳米左右，也有使用248纳米等波长的型号。DUV光刻技术相对成熟，已经在半导体产业中得到了广泛应用。

2024年9月26日 · 简单来说，EUV指的是极紫外光刻，而DUV是指深紫外光刻。 虽然名字上只有“极”和“深”的区别，但实际上这两种技术在原理和应用上都有显著的差异。 EUV，全称极端远紫外线，其波长为13.5纳米。 由于这种光线的波长远短于DUV，所以它能够实现更高的分辨率，这使得EUV在制造更小、更密集的半导体芯片时具有明显优势。 举个例子，如果把光刻过程比作雕刻师在木板上雕刻精细图案，那么EUV就好比是拥有一把极为锋利的刻刀，可以雕刻出更加细腻、复 …