EDO DRAM（Extended Data Output RAM），扩展 数据输出 内存。 是Micron公司的专利技术。 有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。 传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出 行地址 和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。 EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了 存取时间，效率 …

Dynamic random-access memory (dynamic RAM or DRAM) is a type of random-access semiconductor memory that stores each bit of data in a memory cell, usually consisting of a tiny capacitor and a transistor, both typically based on metal–oxide–semiconductor (MOS) technology.

扩展数据输出記憶體 （英語： Extended Data Output RAM，缩写 EDO DRAM）是 Micron 公司的专利技术，有72线和168线之分，采用5V 电压， 带宽 32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM是从傳統的 FPRAM （Fast Page RAM）改進而來，運作上主要是假定下一次的存取地址都與上一次連續，然後準備資料（假設用戶的資料多數是顺序的），這樣便能把内存吞吐量由FPRAM的最高176MB/s提升到EDO RAM的最高264MB/s。 1993年後，EDO RAM開始取代FPRAM的位置。

2019年11月25日 · 答案很简单，dram 通过dram 接口把地址一分为二，然后利用两个连续的时钟周期传输地址数据。 这样就达到了使用一半的针脚实现同SRAM 同样的功能的目的，这种技术被称为多路技术（multiplexing）。

edo内存主要用于72线的simm 内存条 ，以及采用edo 内存芯片 的pci显示卡。 这种内存流行在486以及早期的奔腾 计算机系统 中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，总线宽度32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。

EDODRAM（Extended Data Output RAM）是Micron公司的一项专利技术，相较于传统DRAM和FPMDRAM，它能更快地输出地址，减少了存取时间，提高了效率约20%-30%。 这种内存类型具有较高的性价比，速度提升15%，但价格仅增加5%。 EDO DRAM （Extended Data Output RAM），扩展 数据输出 内存。 是Micron公司的专利技术。 有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。 传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出 行地 …

edo技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的（一般是这样），在当前的读写周期中启动下一个读写周期，从而可将ram速度提高约30%。但是，edoram仅适用于总线速度小于或等于66mhz的情况，是97年最为流行的内存。

2020年3月20日 · EDO DRAM:扩展数据输出（Extended Data Output DRAM, EDO DRAM）是在FPM DRAM基础上加以改进的存储器控制技术。 EDO 输出数据在整个CAS周期都是有效的，EDO不必等待当前的读写周期完成即可启动下一个读写周期 ，即可以在输出一个数据的过程中准备下一个数据的输出。

擴充資料輸出記憶體 （英語： Extended Data Output RAM，縮寫 EDO DRAM）是 Micron 公司的專利技術，有72線和168線之分，採用5V 電壓， 頻寬 32bit，基本速率40ns以上。 EDO RAM是從傳統的 FPRAM （Fast Page RAM）改進而來，運作上主要是假定下一次的存取位址都與上一次連續，然後準備資料（假設使用者的資料多數是順序的），這樣便能把主記憶體吞吐量由FPRAM的最高176MB/s提升到EDO RAM的最高264MB/s。 1993年後，EDO RAM開始取代FPRAM的 …

edo dram有时候也被称为高级页模式，它在fpm dram的读出放大器和输出引脚之间增加了一小部分晶体管，用作数据锁存。 这部分 锁存器 可以在保持数据引脚的电平状态的同时允许 \overline{CAS} 快速地拉高，使得存储阵列可以更快速地进行预充电动作。