2021年12月21日 · DUV和EUV最大的区别在光源方案。 EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。

2025年1月26日 · **深紫外光（Deep Ultraviolet, DUV） 和 极紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）**是两种用于光刻技术的光源，它们在半导体制造中的应用对于芯片的微缩和性能提升至关重要。

2024年7月10日 · Extreme Ultraviolet (EUV) and Deep Ultraviolet (DUV) are two distinct photolithography technologies used in semiconductor manufacturing. Both play crucial roles in the production of integrated circuits (ICs), but they differ significantly in terms of wavelength, capabilities, and applications.

Extreme ultraviolet lithography (EUVL, also known simply as EUV) is a technology used in the semiconductor industry for manufacturing integrated circuits (ICs). It is a type of photolithography that uses 13.5 nm extreme ultraviolet (EUV) light from a laser-pulsed tin (Sn) plasma to create intricate patterns on semiconductor substrates.

2024年7月31日 · Think of EUV as a precision scalpel, capable of carving out the finest details, while DUV is more like a skilled artist's brush – versatile and reliable, but with limitations when it comes to the tiniest features. EUV lithography represents a …

2025年3月16日 · EUV与DUV的核心差异源于光源波长的本质区别。 DUV采用193纳米波长的ArF准分子激光，通过多重曝光技术勉强实现7纳米制程；而EUV的13.5纳米极紫外光，凭借更短的波长直接突破物理极限，将芯片制程推进至3纳米以下。

EUV, DUV, XUV 以及 UV, VUV 都是电磁波波段分类的简称。 （1）它们的全称分别是 UV = ultraviolet EUV = extremely ultraviolet VUV = vacuum ultraviolet DUV = deep ultraviolet XUV = X-ran ultraviolet （2）它们对应的波长大致的区间为 UV: 10~400 nm EUV: 10~121 nm [EUV 光刻波长 = 13.5 nm] VUV: 100~200 nm

2025年1月21日 · 在半导体行业，光刻机被誉为“芯片之母”，而EUV（极紫外光刻）和DUV（深紫外光刻）则是这场技术革命中的两大主角。 它们不仅是芯片制造的核心工具，更是全球科技竞争的焦点。

2024年5月24日 · 本文将深入探讨DUV与EUV光刻技术的五大关键差异，并分析它们在不同应用领域的表现。 一、波长的差异. DUV光刻机主要使用波长较短的深紫外光，其波长通常在193nm附近。 这种波长在现有的光刻技术中已相对成熟，且具有良好的穿透性和聚焦性。 然而，随着半导体工艺的不断进步，对更小波长光源的需求也日益迫切。 相比之下，EUV光刻机采用的极紫外光波长更短，大约在13.5nm左右。 这一显著的波长差异为EUV光刻机带来了更高的分辨率和刻画精 …

2024年9月26日 · 简单来说，EUV指的是极紫外光刻，而DUV是指深紫外光刻。 虽然名字上只有“极”和“深”的区别，但实际上这两种技术在原理和应用上都有显著的差异。