2021年4月16日 · Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM. TechInsights is excited that we have finally found Samsung’s new and advanced D1z DRAM devices and confirmed details of this technology.

EUV ecosystem improvements for LCDU/LWR at low dose still needed to enable cost/performance tradeoff in DRAM manufacturing.

2021年2月18日 · After months of waiting, we have seen Samsung Electronics’ applied extreme ultraviolet (EUV) lithography technology for D1z DRAM in mass production! Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM.

昨日，韩国存储厂商 SK海力士 宣布，公司第一代使用 EUV光刻机 生产的DRAM正式量产。 据介绍，公司旗下第四代 10 纳米級（1a）制程8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。 作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%，并能将功耗降低20%。 在更早之前，三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM，在过去多年稍显保守的 美光 也宣布，将在2024年生产基 …

2021年7月13日 · 昨日，韩国存储厂商SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。 据介绍，公司旗下第四代 10 纳米級（1a）制程8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。 作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%，并能将功耗降低20%。 在更早之前，三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM，在过去多年稍显保守的美光也宣布，将 …

2023年7月18日 · euvl和dram. 随着dram继续微缩至接近10nm，极紫外光刻(euvl)技术对提高图案精度变得越来越重要。三星通过应用五个euvl层，将euvl技术扩展到d1a dram工艺集成。

2021年2月22日 · Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM. TechInsights is excited that we have finally found Samsung’s and advanced D1z DRAM devices and confirmed details of this technology.

DRAM (Stochastics, pellicle-less, tool…), only limitless sophistication can makes it better lithography solution New EUV fab open and preparation under-going to start

SK海力士于今年10月宣布，已成功开发出采用1z-nm 制程工艺的DDR4 DRAM，该DDR4 DRAM在单个芯片上实现16Gb，并将于2020年开始规模量产。 SK海力士表示，与上一代制程工艺产品（1y-nm）相比，1z-nm产品将使DRAM生产率提高约27％。

2024年11月28日 · EUVL is also used to produce dynamic random access memory (DRAM) devices 100. To improve the bandwidth, capacity, power requirements and cost of memory chips to meet future applications, EUVL...