a next-generation lithography technology using an extreme ultraviolet (EUV) wavelength, currently expected to be 13.5 nm. The following 102 files are in this category, out of 102 total.

Extreme ultraviolet lithography (EUVL, also known simply as EUV) is a technology used in the semiconductor industry for manufacturing integrated circuits (ICs). It is a type of photolithography that uses 13.5 nm extreme ultraviolet (EUV) light from a laser-pulsed tin (Sn) plasma to create intricate patterns on semiconductor substrates.

极紫外光 刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。 具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。 极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出 紫外线。 极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或 EUVL）是一种使用 极紫外 （EUV）波长的下一代光刻技术，其波长为13.5纳米，预计将于2020年得到广泛应用。 几乎所有的 光学材料 对13.5nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的 光 …

2024年11月28日 · EUVL has emerged as a critical technique, taking advantage of shorter wavelengths to achieve nanoscale feature sizes with higher precision and lower defect rates than previous lithography methods.

目前,EUV光源主要通过5种技术方案可以获得,分别是:同步辐射源、自由电子激光器、激光等离子体 (Laser Produced Plasma,LPP)、放电等离子体 (Discharged Produced Plasma,DPP)和激光辅助放电等离予体 (Laser-assisted Discharge Plasnla,LDP)。 选取哪一种方案,并如何运用该方案以大幅提高EUVL光刻机光源的功率来满足大规模工业生产 (High Volume Manufacturing,HVM)的需求成为业界所必须攻克的主要难题之一。 同步辐射源的优点是可以产生高功率的EUV光,而且它对光 …

2019年8月22日 · EUVL将率先用于7nm节点（IMEC N8或代工厂N7）逻辑后段（BEOL）的最关键金属层和通孔。 与此同时，研究中心正在探索未来技术节点的选择，这些节点将逐步纳入更多的EUVL印刷结构。 在本文的第一部分，imec的干法蚀刻研发工程师Stefan Decoster比较了在N3及更先进技术节点下，不同的多重图形化方案的优缺点。 与过去相比，研究人员现在已经将EUVL作为 存储器 关键结构的图形化工艺的一个选项，例如DRAM的柱体结构及STT-MRAM的MTJ。 在 …

如前所述，与首字母缩略词 euvl 相关的图像采用 png 格式，png 代表便携式网络图形。 此图像具有特定尺寸，长度为 669 像素，宽度为 350 像素。 图像的文件大小约为 60 千字节。

2023年9月9日 · 极紫外光刻（euvl）技术是半导体制造的核心技术之一，能够实现更小的特征尺寸，从而实现器件的小型化。 全球的研究人员和公司正在专注于开发新型极紫外（EUV）光刻胶材料，以支持纳米级分辨率的EUVL图案化并提高半导体器件的性能。

2020年12月6日 · 极紫外光刻(EUVL)是以波长为11～14nm的EUV射线为曝光光源的微电子光刻技术，适用于特征尺寸为32nm及更细线宽的集成电路的大批量生产。EUV光源的特点决定了EUVL必须采用镀有多层膜的反射光学元件。为满足光刻成像的质量要求，EUVL光学系统像差要控制 …

EUVL optical systems are expected to be manufacturable Conclusion Part of this work was supported by: - the European Commission within the ESPRIT program (Project EP 28160) - 1999-2000 International SEMATECH Project Lith-112 - …