
为什么EMIB 2.5D封装是AI芯片最好的选择?|基板|裸片|英特尔|hbm…
8 小时之前 · 相比采用晶圆级封装只能得到少量成品,会浪费大量空间和资源,EMIB有显著的高效利用率的优势。 “当扩展到更大面积的硅片复合体时,封装内HBM的数量越多,EMIB的成本优势相比晶圆级的封装技术呈指数级增长。”Mark Gardner补充表示。
英特尔发布全球首款配备 HBM 内存的 x86 CPU:“至强 …
IT之家 11 月 10 日消息,英特尔今天正式推出了全球首款配备 HBM 内存的 x86 CPU——Intel Xeon Max 系列,也就是之前我们称之为 Sapphire Rapids(HBM)的旗舰级产品线。 新至强中的 56 个内核均为 P 核,可提供 112 个线程和 350W TDP。它采用基于 EMIB 的设计,分为四个集群。
To drive broader adoption of HBM applications (cooling limited) and higher performance stacks (8-Hi), higher HBM junction temperature (>95C) needs to be supported
2.5D 封装为何成为 AI 芯片的“宠儿”? - IT之家
11 小时之前 · 而 EMIB 不仅提升了良率,还能在 HBM 数量增加时,展现出成本优势的指数级增长。 第二,更高良率。与其他 2.5D 技术相比,EMIB 减少了复杂的工艺步骤。传统晶圆级封装需要“芯片对晶圆”(Chip-on-Wafer)流程,涉及模具、凸点等多重工序,增加了出错风险。
HBM 存储有可能成为未来 CPU 平台的一个主流选择吗? - 知乎
Intel的EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge,嵌入式多晶片互联桥接)技术,则可以用很小面积的桥接硅片代替大面积的硅互联层。 但需要处理器、HBM颗粒把用于互联的触点分布在颗粒边缘。 未来随着互联网接入带宽的提升,智能手机的普及,以及人工智能的流行,可以合理猜测未来的数据量和计算量是会不断提升的,当数据量、计算量达到现有的DDR/GDDR带宽瓶颈后,HBM很可能会是唯一解决方案。 HBM容量不可扩展的问题,如果傲腾内存得以普及,应该 …
高级封装创新 | 芯片封装 - 英特尔
英特尔® Data Center GPU Max Series SoC:使用 EMIB 3.5D,打造出英特尔有史以来大批量生产的最复杂的异构芯片,该芯片拥有超过 1000 亿个晶体管、47 个活动磁贴和 5 个工艺节点。
Intel Sapphire Rapids-SP Xeon CPU 具有 4 个 8-Hi HBM2E 堆栈,14 个 EMIB …
2021年11月13日 · 具体说来是,Sapphire Rapids-SP 至强 CPU 将具有 4个 8-Hi HBM2E 堆栈、14条 EMIB 互连、且全 XCC 芯片的尺寸约为 400 m㎡ 。 此前, WCCFTech 已经详细介绍过英特尔的 Sapphire Rapids-SP Xeon CPU,但在 HotChip33 年度会议期间,这家芯片巨头还揭示了更多花絮。 据英特尔所述,Sapphire Rapids-SP 将提供基于 两种封装 的衍生版本。 标准版将采用由 4个 XCC 芯片所组成的小芯片设计,尺寸约为 400 m㎡ 。
报告连载 | HBM 崛起:从 GPU 到 CPU - 极术社区 - 连接开发者与 …
2023年10月19日 · AMD是HBM的早期使用者,发展至今,AMD Instinct MI250X计算卡在单一封装内集成了2颗计算核心和8颗HBM2e,容量共128GB,带宽达到 3276.8GB/s。 NVIDIA应用HBM的主要是专业卡,其2016年的TESLA P100的HBM版搭配了16GB HBM2,随后的V100搭配 …
Intel Xeon Sapphire Rapids: How To Go Monolithic with Tiles
2021年8月31日 · Intel announced earlier this year that it will make an HBM version of Sapphire Rapids, using four HBM tiles. These will also be connected by EMIB, one per tile. Intel did give an insight into...
HBM崛起:从GPU到CPU - 电子工程专辑 EE Times China
2023年9月29日 · HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是 2014 年 AMD、SK海力士(SK Hynix)共同发布的,使用 TSV 技术将数个 DRAM Die(晶片)堆叠起来,大幅提高了容量和数据传输速率。 随后三星、美光、NVIDIA、Synopsys 等企业积极参与这个技术路线,标准化组织 JEDEC 也将 HBM2 列入标准(JESD235A),并陆续迭代了HBM2e(JESD235B)以及HBM3(JESD235C)。 得益于堆叠封装,以及巨大的位宽(单封装 1024bit),HBM 提供了 …