Etch Bias:在Etch 过程中PR 被蚀刻, 高度和CD 变化，其CD 变化量为Etch Bias （Wb- Wa）。 Wb：Etch 前 PR CD Wa：PR strip后pattern 最终CD。

做法是对版图上所有的边缘添加（或减去）一个固定的线宽，被称为全片刻蚀偏差（global etch bias）。 显然，这样的做法比较粗糙，设有顾及刻蚀偏差是与光刻胶上的线宽有关的。

2022年6月22日 · 在Dry Etch中， DC Bias voltage 即 sheath voltage 直接作用于离子加速，影响离子能量，是必须要重视的参数。 如下面常见的Source/ Bias 电极上下分离的设备式样，提高Source Power 是一种简单的增加Plasma 密度的…

在ETCH过程中，CD的变化量（Etch Bias）是一个关键的测量指标，它表示在ETCH前后 光刻胶 （PR）图案的CD变化，即Etch前PR CD（Wb）与PR去除后图案最终CD（Wa）之间的差值。

通过控制Bias Power,即偏置功率,可以增强等离子体的方向性,改变 刻蚀过程 中的深度,侧墙角度负载效应; 此外还与腔体的压力有交互作用; 刻蚀是一个复杂的过程,除了源功率&偏置功率,使用的气体比例,腔室的压力,刻蚀对象的表面形貌都会同时对结果造成影响. 具体可以看 Pulsed plasma etching for semiconductor manufacturing. source power也叫 antenna power，指等离子源的功率，粗略理解就是腔体内产生更多的等离子体，如果刻蚀是rie，化学刻蚀的话是会加大刻蚀速率的; bias …

2020年3月2日 · 目前额做法是对版图上所有的边缘添加（或减去）一个固定的线宽，被称为全片刻蚀偏差（global etch bias）。 显然，这样的做法比较粗糙，设有顾及刻蚀偏差是与光刻胶上的线宽有关的。

2013年10月1日 · In order to conduct this study, an etching bias modeling method is investigated by rigorous process simulations. The resulting model can simulate etching process effects reasonably well. The correction accuracy obtained is significantly improved compared with that obtained by the staged correction strategy.

2022年9月29日 · Quantitatively accurate, physics-based, computational modeling of etching and lithography processes is essential for modern semiconductor manufacturing. This paper presents lithography and etch models for a trilayer process in a back end of the line manufacturing vehicle.

2024年10月1日 · The prevailing approach to addressing this issue is model-based etch bias correction. This method involves simulating the etching process by training an etch model that predicts the bias between the After Development Inspection (ADI) contour and the After Etch Inspection (AEI) contour.

Under fixed etching process parameters, a predicative model of etch bias is proposed in this paper. The experimental results show that the absolute error of the predicative value of the model can reach within ±2nm, and the relative error can reach less …