Statistical insights into the reaction of fluorine atoms with silicon
2020年8月12日 · The number of artefacts is significantly reduced by using F 2 plasma as the source of fluorine atoms. In this case, special design of the experimental setup is required to …
不同含氟分子对硅和二氧化硅表面氟化反应的密度泛函理论研 …
作者报告了 H 封端的 Si 和 OH 封端的 SiO2 表面与 HF、CF4、CHF3、NF3 和 ClF3 的初始氟化过程的反应机理。 使用平板表面模型，通过密度泛函理论计算对气体分子中的氟原子解离 Si …
Reaction of Fluorine Atoms with SiO2 - ResearchGate
1979年11月1日 · This study demonstrates the feasibility of etching a stack comprising 10 layers of silicon dioxide (SiO2) and molybdenum (Mo) using an Oxford Instruments ICP RIE tool …
Four different Fz-based gases (SF6, NF3, PF5, and BF3) were examined for high rate Inductively Coupled Plasma etching of Si. Etch rates up to -8 pm/min were achieved with pure SF6 …
Understanding the contributions of F–, HF, and HF2– to the …
2024年6月1日 · Understanding of the silicon dioxide (SiO 2) etching mechanism in hydrofluoric acid (HF) solutions is important in semiconductor manufacturing processes. A study on the …
氟化氢对硅的氧化硅选择性刻蚀机理：密度泛函 ... - X-MOL
使用无水氟化氢 (HF) 蒸气对硅 (Si)的氧化硅 (SiO 2 )的选择性蚀刻已用于半导体器件制造。 我们通过密度泛函理论 (DFT) 计算研究了选择性蚀刻的基本机制。 我们构建了具有不同氟化程度 …
Fluorine Termination of Silicon Surface by F2 and Succeeding …
1993年6月30日 · For gate insulator of amorphous InGaZnO thin-film transistor, we fabricated fluorinated silicon nitride (SiN:F) film formed by an inductively-coupled plasma enhanced …
<br>了解 F–、HF 和 HF2– 对 SiO2 蚀刻的贡献，并揭示反应动力学以代表 SiO2 …
了解氢氟酸 (HF) 溶液中二氧化硅 (SiO) 蚀刻机制对于半导体制造工艺非常重要。先前对 SiO2 蚀刻机理的研究声称，只有二氟化物 (HF) 参与 SiO2 蚀刻。然而，在这项研究中，观察到 SiO2 的 …
Fluorine-doped SiO2 glasses for F2 excimer laser optics:?fluorine ...
Color-center formation in F-doped, OH-free synthetic SiO 2 glasses by irradiation with F 2 excimer lasers (157 nm) was examined as a function of the F content. The concentration of …
二氧化硅和氟离子反应 - 百度文库
二氧化硅，化学式为SiO2，是一种无机化合物。 氟离子，化学式为F-，是一种单负离子。 二氧化硅和氟离子反应是一种常见的Leabharlann Baidu学反应，其反应产物为氟硅酸根离子。