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-100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package.

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

F9530N是一种常见的场效应管型号，本文将对其参数进行详细介绍和解析。 2. 参数说明. F9530N是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），其参数包括静态和动来自百度文库参数。 下面将分别对这些参数进行详细说明。 5. 总结. F9530N场效应管是一种常见的N沟道增强型MOSFET，具有许多重要的参数，包括静态和动态参数。 了解这些参数对于正确选择和应用场效应管至关重要。 本文对F9530N场效应管的参数进行了详细解 …

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Oct 18, 2023 · - 电源开关：IRF9530NPBF在电源开关模块中可用作主要器件，实现电源的控制和转换。 - 电机控制：适用于需要 控制电机 转动的模块中，提供稳定的功率放大和驱动能力。 - 电源管理：在电源管理模块中，可以使用IRF9530NPBF来实现电源开关、电源保护和电池管理等功能。 综上所述，IRF9530NPBF适用于电源开关、电机控制和电源管理等领域模块。 文章浏览阅读1k次。 电源管理：在电源管理模块中，可以使用IRF9530NPBF来实现电源开关、电源保护和 …

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

F9530N Datasheet. Part #: F9530N. Datasheet: 113Kb/8P. Manufacturer: International Rectifier. Description: Power MOSFET (Vdss=-100V, Rds (on)=0.20ohm, Id=-14A). 1 Results.