80N10-VB Datasheet N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET. N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET. FEATURES. cne r•T hTEF®Power MOSFET † 175 °C Maximum Junction Temperature † Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC. TO-220AB. GD S . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA= 25 °C, unless otherwise noted. Parameter SymbolLimitUnit.

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块，如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。 TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS (ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； 80N10-VB由VBsemi (微碧半导体)设计生产，立创商城现货销售。 80N10-VB价格参考￥4.19。

Description: N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET. Manufacturer: VBsemi Electronics Co.,Ltd.

Part #: 80N10. Description: N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET. File Size: 974.83 Kbytes. Manufacturer: VBsemi Electronics Co.,Ltd.

80N10 Features and benefits l International standard packages l Low RDS (on) l Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) l Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Advanta. Image gallery

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80N10 Datasheet. Part #: 80N10. Datasheet: 974Kb/7P. Manufacturer: VBsemi Electronics Co.,Ltd. Description: N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET. 3 Results. Part #: 80N10F7. Datasheet: 966Kb/7P. ... SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE VBsemi Electronics Co.,... 80N06: 1Mb / 7P: N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Inchange Semiconductor ...

2025年2月13日 · 备受欢迎的 80n10 mos 管 asemi 品牌 80n10 是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了 80n10 的最大漏源电流 80a ，漏源击穿电压 100v. •细节体现差距. 80n10 ， asemi 品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

80N10-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。 具有100V的耐压能力和优异的导通特性，适合于高功率、高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。

80N10-VB VBsemi Elec $0.7695 - 100V 100A 250W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS datasheet, price, inventory C693244