2024年2月26日 · Field-Effect Transistor (FET) is a semiconductor device that consists of a channel made of a semiconductor material, with two electrodes connected at either end, …

The field-effect transistor (FET) is a type of transistor that uses an electric field to control the current through a semiconductor. It comes in two types: junction FET (JFET) and metal-oxide …

FET即Field Effect Transistor，译为 场效应晶体管，也叫 场效应管，是一种电压控制器件 (晶体管是电流控制器件)。 有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。

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In this section we will first look at the simplest FETs: molecular field effect transistors. We will use these devices to explain field effect switching. Then, we will consider ballistic quantum wire …

Bild 1 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere "Kanalzone" von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone …

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der …

Der in Bild 11 dargestellte P-Kanal MOS-FET ist als ein N-dotiertes Substrat realisiert, in das zwei P-dotierte Zonen eingelassen wurden, auf die die Anschlüsse des Drains und der Source …

Feldeffekttransistoren (FETs) sind Halbleiterbauelemente, deren Leitfähigkeit zwischen den Elektroden Source (Quelle, S) und Drain (Senke, D) durch ein elektrisches Feld beeinflußt …

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