
Field-effect transistor - Wikipedia
The field-effect transistor (FET) is a type of transistor that uses an electric field to control the current through a semiconductor. It comes in two types: junction FET (JFET) and metal-oxide-semiconductor FET (MOSFET). FETs have three terminals: source, gate, and drain.
场效应管 - 维基百科,自由的百科全书
场效应管(英語: field-effect transistor ,缩写:FET)為電晶體的一種,是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠 电场 去控制导电沟道形状,因此能控制 半导体材料 中某种类型 载流子 的沟道的 导电性 。
MOSFET - Wikipedia
In electronics, the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, MOS FET, or MOS transistor) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
三代FET技术盘点:MOSFET/FINFET/GAA FET - 知乎 - 知乎专栏
GAA-FET,即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET),该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能,从而突破FinFET的性能限制。 简言之, GAA技术 让晶体管得以承载更多电流,同时晶体管尺寸保持相对较小。
Biosensing based on field-effect transistors (FET): Recent progress …
2020年12月1日 · Among a wide range of electrical sensing devices, field-effect transistor (FET) biosensors appeared to be one of the most promising alternatives due to their advantages like being fast, low-cost, and simple [5]. The very first FET biosensor was generated by …
场效应管FET原理与应用-CSDN博客
2018年5月14日 · 场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,由多数载流子参与导电,与双极型晶体管的两种载流子(多数和少数载流子)参与导电不同,因此被称为单极型晶体管。
电子技术(五)——FET - 知乎 - 知乎专栏
FET即Field Effect Transistor,译为 场效应晶体管 ,也叫场效应管,是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。
全面解析:场效应晶体管FET的类型、工作原理及应用-道合顺
2024年3月14日 · 场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET)是一种半导体器件,用于控制电流流动。 它是一种三端口设备,由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。 这些区域构成了FET的基本结构,而具体的构造和材料取决于FET的类型和制造工艺。 以下是这些区域的简要说明: 源极(Source):源极是FET的一个端口,通常用于提供或引出电子流。 对于N型FET(例如N沟道MOSFET),源极是掺杂有N型材料的区域。 而对于P型FET(例如P沟 …
什么是FET?FinFET将半导体制程带入新境界 - 模拟技术 - 电子发烧 …
2023年7月12日 · mosfet 是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体(fet),科学家将它制作在矽晶圆上,是数码讯号的最小单位,一个 mosfet 代表一个 0 或一个 1,就是电脑里的一个“位(bit)”。
Graphene FET chip S10 | Sigma-Aldrich - MilliporeSigma
Graphene FET chip (GFET-S10 chip) is a graphene based field effect transistor chip with a symmetric transconductance of 8 μS and an operational current density of 105 A/cm 2. The fabricated device has a monolayered graphene which is coated by chemical vapor deposition (CVD) on silicon substrate.