FETs have three terminals: source, gate, and drain. FETs control the current by the application of a voltage to the gate, which in turn alters the conductivity between the drain and source. FETs are also known as unipolar transistors since they involve single-carrier-type operation.

Today, millions of MOSFET transistors are integrated in modern electronic components, from microprocessors, through “discrete” power transistors. The focus of this topic is the gate drive requirements of the power MOSFET in various switch mode power conversion applications.

场效应管 （英語： field-effect transistor，缩写： FET）為 電晶體 的一種，是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠 电场 去控制导电沟道形状，因此能控制 半导体材料 中某种类型 载流子 的沟道的 导电性。 场效应晶体管有时被称为「单极性 晶体管」，以它的单载流子型作用对比 双极性晶体管。 由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 [1] 场效应電晶 …

2023年3月19日 · 半导体器件的背栅（英文：back gate）是指在半导体器件中，通过改变背面的电场强度来控制器件的电性能。 通常背栅被用于场效应晶体管（FET）中，它是一种基于电场控制电流的器件。 在FET中，背栅是一个金属或半导体层，与半导体材料形成接触，形成电容器结构。 当背栅施加电压时，会在半导体中形成一个电场，这个电场可以控制通道中的载流子浓度，从而影响器件的电性能。 在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，背栅是靠近绝缘层的一 …

GAA-FET，即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET)，该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能，从而突破FinFET的性能限制。 简言之， GAA技术 让晶体管得以承载更多电流，同时晶体管尺寸保持相对较小。

To get a fundamental understanding of the switching behavior of a MOSFET, it is best first to consider the device in isolation and without any external influences.

The simplest, non-trivial logic gate that satisfies rule 1 is the logic gate composed of a single NFET (to pull the output down) and a single PFET (to pull the output up). This arrangement was already described in Figure 2.6. However, the configuration of Figure 2.6(e) violates rule 2 and the configuration of Figure 2.6(d) violates rule 3.

2018年7月5日 · MOS管学名场效应管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。

2018年5月14日 · FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。 它是晶体管的一种。 通常所说的晶体管是指双极晶体管。 场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。 只涉及. 到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。 FET有三个电极分别是栅极（ Gate ）、源极（ Source ）和漏极（ Drain ）。 小贴士： 双极性晶体管，全称双极性结型 晶体管 （bipolar junction transistor, BJT），俗称 三极管， …

栅极驱动器（Gate Driver）是一种电路，通常用于增强场效应晶体管（MOSFET）或 insulated-gate bipolar transistor（IGBT）的栅极信号，以便控制器能够更好地控制这些半导体开关的操作。