等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

PECVD特点：将气体分子激活成活性离子，相对降低反应所需的温度；加速反应物在表面的扩散作用（表面迁移），提高成膜速率；对于膜层表面具有溅射作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，加强了薄膜和基板的附着力；反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞散射作用，使形成的薄膜比较均匀。 PECVD优点：沉积温度低：PECVD可以在相对较低的温度下进行沉积，这对于一些对温度敏感的衬底材料来说特别有利，可以避免高温引起的热应力和损伤。 沉积速率快：由于 …

本文简要介绍了pecvd工艺的种类、设备结构及其工艺原理，根据多年对设备维护的经验，介绍了等离子增强型化学气相淀积（pecvd）设备的基本结构，总结了这类设备的常见故障及解决措施。

2017年4月1日 · 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)。 优点. 1、均匀性和重复性好，可大面积成膜； 2、可在较低温度下成膜； 3、台阶覆盖优良； 4、薄膜成分和厚度易于控制； 5、适用范围广，设备简单，易于产业化. 注意事项. 1、要求有较高的本底真空； 2、防止交叉污染； 3、原料气体具有腐蚀性、可燃性、爆炸性、易燃. 4、性和毒性，应采取必要的防护措施。 PECVD 参数. …

電漿輔助式化學氣相沉積（pecvd）是一種使用電漿的化學氣相沉積(cvd)技術，可為沉積反應提供一些能量。 與傳統的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …

2024年10月10日 · FPD-PECVD（Field Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种电浆辅助化学气相沉积技术，它利用电场产生的等离子体来促进化学气相沉积过程。 该技术在薄膜材料的制备中具有重要作用，特别是在大面积平板显示（Flat Panel Display，FPD）制造领域。 FPD-PECVD技术通过在反应室内施加电场，激发气体分子产生等离子体。 等离子体中的高能粒子与化学前驱体分子发生反应，形成沉积在基板上的薄膜。 与传统 …

pecvd方法区别于普通cvd方法的特点在于 等离子体中含有大量高能量的电子，它们可间 接地提供cvd过程所需要的激活能 电子与气相分子的碰撞可促进气体分子的分解 、化合、激发和电离，生成活性很高的各种化 学基团，显著降低cvd薄膜沉积的温度 而普通cvd过程 ...

2024年7月10日 · SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。 FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition (CVD) technology using a plasma to provide some of the energy for the deposition reaction to take place. PECVD alternate for depositing a variety of thin films at lower temperatures than conventional CVD methods without losing film quality.