The FZ-14 Float-Zone crystal-growing system is designed for the industrial production of monocrystalline Silicon crystals with a diameter of up to 100 mm (4"). Depending on the dimensions of the source rod, crystals with a length of up to 1.1 m can be pulled.

2015年12月4日 · FZ-14-1型区熔炉能够稳定地生长最大直径为( D 104.5mm1 l mm无位错、无漩涡单晶。且成晶率不低于80%, 3、单晶生长工艺 3, 1 ( D 60mm- N 105mm区熔本征单晶生长 3, 1, 1单晶制备工艺过程: 装炉~ 抽空、置换一预热一化料一引晶、细颈一放肩一等径生长一尾部拉断一 …

FZ 14-M Semiconductor Systems. PVA TePla AG Germany Im Westpark 10–12 35435 Wettenberg Phone +49(641) 68690-0 Fax +49(641) 68690-800 EM- ali inf o @ pvatepla.com Home www.pvatepla.com Main features of the FZ-14M Upper Spindle Lower Spindle Pulling length: 350 mm 350 mm

fz-14区熔晶体生长系统专为工业生产单晶硅晶体设计，能拉制最大直径100毫米、长度达1.1米的晶体。 该系统采用无接触熔化工艺，通过高真空环境和超纯氩气确保纯净度，并能控制氮气引入。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。 根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。 在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。 并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。 该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。 产品数据概览: 材料：硅. 晶体 1,100 mm. 晶 …

2024年9月5日 · 区熔（ fz ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。

Consult PVA TePla Group's FZ 14-M brochure on DirectIndustry. Page: 1/2. The Polysilicon Floatzone Test GrowerMain features of the FZ-14M Crystal Crystal diameter: Crystal length: Pulling speed crystal: Upper/Lower Spindle Pulling length: Fast travel speed: Spindle rotation: RF-Generator RF output power: max. 18 kW Vacuum system End vacuum: 2.5 10E - 5 mbar Leak rate: < 1 10E - 3 mbar l / sec ...

本文介绍了 FZ-14-1区熔炉较 FZ-14区熔炉新增的一些特性,同时重点介绍了φ60mm-φ 105mm 区熔本征单晶的拉制工艺,并对气相掺杂和大直径一次成晶工艺探索进行了描述。

本图片来自 深圳市矢量科学仪器有限公司 提供的 区熔晶体生长系统 ，型号为 FZ-14 的 PVA Tepla 半导体行业专用仪器设备 ，产地为 美洲美国 ，属于 品牌，参考价格为 面议 ，公司还可为用户供应高品质的 采样示波器 、 8英寸通用物理气相沉积系统 等仪器。

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