热丝化学气相沉积 (HFCVD) 是一种在高温、低压条件下运行的专业 CVD 方法，主要用于生产致密薄膜，尤其是金刚石薄膜。 该工艺包括在高温下对甲烷（CH₄）等碳氢化合物进行热分解，以生成形成薄膜所需的前驱体。 HFCVD 系统的关键部件包括加热丝（通常由钨（W）、铼（Re）或钽（Ta）等难熔金属制成）和基底（通常由硅（Si）制成）。 灯丝的温度保持在 2173 至 2773 K 之间，作为主要热源，将原料气体--氢（H₂）和甲烷（CH₄）--解离成更小的活性碎片。 这种解 …

Chemical vapor deposition (CVD) is a vacuum deposition method used to produce high-quality, and high-performance, solid materials. The process is often used in the semiconductor industry to produce thin films. [1]

linedown ，停线，在半导体fab 而言，停线的意思是停止生产，这是很严重的，需要所有相关人员全力找出原因，快速恢复生产. priority 优先级，一般fab工作，每个人手上都不会仅仅一件事，那优先级的意思就是你需要先做最紧急的事情

diff手底下又有 imp （离子注入），wet（湿法蚀刻），fur（炉管）三个部门，tf手下有cvd（化学气相沉积），pvd（物理气相沉积）和cmp

2025年1月2日 · 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种重要的材料制备技术，尤其在半导体、纳米技术和涂层领域有广泛应用。CVD的基本原理是通过气态物质在气相或气固界面上发生化学反应，生成固态的粉体或薄膜...

2024年3月26日 · 化学气相沉积 ( Chemical Vapor Deposition,CVD)是在一定温度条件下,混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用,并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层,使材料表面改性,以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等特殊性能要求的一种技术。 CVD技术是建立在化学反应基础上的,通常把反应物是气态而生成物之一是固态的反应称为CVD反应，因此其化学反应体系必须满足以下三个条件: 在沉积温度下,反应物必须有足够高的蒸气压 …

•There are 10 primary “functional areas” of the fab: •CMP: Chemical Mechanical Planarization •CVD: Chemical Vapor Deposition •Diffusion •Dry Etch •Implant •Metrology •Photolithography (a.k.a. Photo) •PVD: Physical Vapor Deposition •RDA: Real time Defect Analysis •Wet Process

2025年1月3日 · 高密度等离子体cvd是新发展的一种cvd技术，其优点是可在较低温度下沉积出能够填充高深宽比间隙的薄膜，该技术主要用于制造高端ic。 等离子体辅助CVD中膜的形成（来源《 半导体制造 技术》）

CVD，即化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition），是一种重要的薄膜沉积技术，其由来可以追溯到20世纪早期。 其发展历程主要与半导体工业的发展以及对新材料的需求密切相关。

化学气相沉积(cvd)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。 CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。