FINFET 让晶体管从平面转向了3D立体结构，也就需要更多的参数来衡量晶体管的特征尺寸。 比如 Fin 的高度，Fin 的宽度，Fin 间距 （Fin Pitch），Gate length，Gate width; FINFET …

Finfet中通常采用双扩散区切断(double diffusion break，ddb)结构和单扩散区切断(single diffusion break，sdb)结构来实现有源区的隔离，器件单元如标准逻辑单元(logic standard cell)的有源区 …

Enhanced performance gains have been realized via the ‘Fin Effect’ (Weff/Fin-Pitch) boost, which provides improved drive current for a given capacitive load. However, limits on the Fin …

Generally, a finFET could have two to four fins in the same structure. The spacing between the individual fins is the fin pitch. Chipmakers hope to scale the fin pitch by 0.7X at each node. …

2020年2月16日 · 为了提升晶体管密度，在推动制程工艺前进的同时，Intel在 14 纳米制程中采用了鳍式场效应晶体管（FinFET）和超微缩技术（Hyper Sacling），其中超微缩技术能够让 14 纳 …

亚阈值摆幅 S是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，S越小意味着开启关断速率越快。 目前，常温下S的极限值约 …

2023年8月11日 · Published tear-downs of finFET devices reveal that the fin grid pitch is around 30 nm, and the poly grid pitch (also known as the contacted poly pitch) is around 50 nm.

• With Fin height of 50nm, Fin width 20nm, pitch 80nm, 300nm of gate width can be squeezed into 200nm silicon width [1] • Gate lengths of <20nm have been generated. • S/D resistance / …

2014年11月13日 · The fin pitch is the sum of fin width and the space between fins. Chipmakers hope to scale the fin pitch by 0.7X at each node. The lithography process determines the fin …

2022年6月4日 · 1.本发明涉及半导体器件测试技术领域，特别涉及一种用于finfet工艺中监测fin间距飘移（fin pitch walking）的电学测试结构和测试方法。 2.随着大规模集成电路工艺技术的不断 …