当下公认的MOSFET品质因数还有意义吗 - 模拟技术 - 电子发烧友网
2023年2月10日 · 从导通和开关性能的角度来看，我们都习惯于将MOSFET的品质因数(FOM)视作漏极至源极通态电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积。 FOM = RDS(on) x Qg. 在下定义时，这 …
菜鳥選擇MOSFET的四步驟！ - SHIKUES
2019年11月4日 · 這個“優值系數”(fom)總結了器件的性能，可以用典型值或最大值來比較mosfet。要保證在器件中進行準確的比較，妳需要確定用於rds(on) 和qg的是相同的vgs，在公示裏典型 …
Rethinking the Power MOSFET Figure of Merit
2017年3月12日 · The comparison of MOSFETs with their Figure of Merit (FOM) has become the ubiquitous industry practice. Along with current ratings and SOA curves, FOMs are being …
Vishay 專家提醒你：要重新思考功率 MOSFET 的優點！ - 大大通
2023年4月19日 · MOSFET FOM 最簡單、最廣泛使用的定義是 Rds x Qg 乘積。 每個新的 MOSFET 產品線發佈時，都會同時公佈令人印象深刻的至少 20% 的 FOM 下降幅度。 基於更 …
多图预警 | 如何正确理解功率器件的FoM？ - RF技术社区
2023年11月29日 · 在电源应用中，哪怕已经确定拓扑结构、频率和负载范围等需求，工程师短时间内也很难判断哪一种开关技术最好……“品质因数”（Figure of Merit, FoM），就是帮助电源设 …
如何确定功率电路设计的最佳器件 - 知乎 - 知乎专栏
Qg 是恒定电流和时间的乘积，采样随时间变化的 Vgs 即可轻松获得 Qg 曲线。 栅极驱动电压源的斜率需精确控制，否则器件开关速度可能过快，瞬态特征测量难度大幅增加。
MOS管的FOM讲解 - 知乎 - 知乎专栏
2024年6月19日 · 衡量 MOS管 最重要的性能指标是 FOM （Figure of Merit），中文是品质因数。 FOM= Qg * Rdson. Qg决定了MOS管的开关损耗. Rdson决定了MOS管的导通损耗. FOM就是 …
多图预警 | 如何正确理解功率器件的FoM？ - Qorvo——all around …
2023年11月29日 · 在电源应用中，哪怕已经确定拓扑结构、频率和负载范围等需求，工程师短时间内也很难判断哪一种开关技术最好……“品质因数”（Figure of Merit, FoM），就是帮助电源设 …
【功率器件心得分享】浅谈功率MOSFET - 模拟电子技术论坛-模拟 …
2016年9月30日 · QG—QGS +QGD +QOD，其中的QGS为栅一源极电荷，QcD为栅一漏极电荷，亦称密勒(Miller)电容上的电荷，QOD为密勒电容充满后的过充电荷。 因栅极电荷会造成驱 …
零基础学习功率半导体（42）---FOM介绍 - 知乎 - 知乎专栏
用途：评估传统平面型功率 MOSFET 的性能，衡量击穿电压（VB ）与比导通电阻（Rsp ）的平衡关系。 关键点： Rsp 与材料参数相关（临界电场 E crit 、载流子迁移率 μ 、介电常数 ϵ）。 …
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