2023年2月10日 · 从导通和开关性能的角度来看，我们都习惯于将MOSFET的品质因数(FOM)视作漏极至源极通态电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积。 FOM = RDS(on) x Qg. 在下定义时，这是一个很好的指标，但现在大多数MOSFET的Qg均已得到优化。

2019年11月4日 · 這個“優值系數”(fom)總結了器件的性能，可以用典型值或最大值來比較mosfet。要保證在器件中進行準確的比較，妳需要確定用於rds(on) 和qg的是相同的vgs，在公示裏典型值和最大值沒有碰巧混在壹起。

2017年3月12日 · The comparison of MOSFETs with their Figure of Merit (FOM) has become the ubiquitous industry practice. Along with current ratings and SOA curves, FOMs are being increasingly used as elements of MOSFET specmanship. The simplest and most widely used definition of the MOSFET FOM is the Rds x Qg product.

2023年4月19日 · MOSFET FOM 最簡單、最廣泛使用的定義是 Rds x Qg 乘積。 每個新的 MOSFET 產品線發佈時，都會同時公佈令人印象深刻的至少 20% 的 FOM 下降幅度。 基於更新型寬頻隙技術的設備進一步提升，聲稱在品質因數方面可以降低 50 倍甚至 100 倍。 最終使用者完全被這些誇張的數位搞得一頭霧水。 使用一個因數提高了 50 倍的開關器件到底有什麼好處？ 它會減少b50b倍的損耗嗎？ 如果您有一個功率轉換器，其矽 MOSFET 消耗 10 W，然後代之以另一 …

2023年11月29日 · 在电源应用中，哪怕已经确定拓扑结构、频率和负载范围等需求，工程师短时间内也很难判断哪一种开关技术最好……“品质因数”（Figure of Merit, FoM），就是帮助电源设计人员直观衡量功率器件性能优劣的重要概念，特别是损耗描述方面，在挑选功率器件时 ...

Qg 是恒定电流和时间的乘积，采样随时间变化的 Vgs 即可轻松获得 Qg 曲线。 栅极驱动电压源的斜率需精确控制，否则器件开关速度可能过快，瞬态特征测量难度大幅增加。

2024年6月19日 · 衡量 MOS管 最重要的性能指标是 FOM （Figure of Merit），中文是品质因数。 FOM= Qg * Rdson. Qg决定了MOS管的开关损耗. Rdson决定了MOS管的导通损耗. FOM就是决定MOS管工作效率最重要的指标. FOM也适用于 氮化镓晶体管 GaN HEFT. 期待后期更新中。

2023年11月29日 · 在电源应用中，哪怕已经确定拓扑结构、频率和负载范围等需求，工程师短时间内也很难判断哪一种开关技术最好……“品质因数”（Figure of Merit, FoM），就是帮助电源设计人 ...

2016年9月30日 · QG—QGS +QGD +QOD，其中的QGS为栅一源极电荷，QcD为栅一漏极电荷，亦称密勒(Miller)电容上的电荷，QOD为密勒电容充满后的过充电荷。 因栅极电荷会造成驱动电路上的损耗，故QG值越小越好。

用途：评估传统平面型功率 MOSFET 的性能，衡量击穿电压（VB ）与比导通电阻（Rsp ）的平衡关系。 关键点： Rsp 与材料参数相关（临界电场 E crit 、载流子迁移率 μ 、介电常数 ϵ）。 BFOMS越高，器件性能越好（相同击穿电压下导通电阻更低）。 局限性：仅适用于平面结构，无法评估超级结（Superjunction）等先进器件。 （2） Fujihira 静态优值系数 （FFOM） . 公式： 用途：针对 超级结 MOSFET 的优化指标，其中 d 为超级结单元间距（cell pitch）。 关键点： …