2020年8月24日 · mram（磁性只读存储器）和fram（铁电ram）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。

多年来出现过不同风格的 MRAM 存储器，使 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越有吸引力；当下的 MRAM 家族成员包括了三类：自旋转移扭矩 (spin-transfer torque ：STT)、自旋轨道扭矩 (spin-orbit torque：SOT)、电压控制（VCMA-和 VG-SOT）。

新型的存储器既具有ram的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（fram)fram的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存…

FRAM technology has an inherent asymmetry in the hysteresis behavior of the memory elements. The bottom electrode has a higher thermal budget compared to the top electrode,

FRAM性能比EEPROM好的的三个优势： 1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数； 2、功耗，同样写入64byte的数据，FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/10

2012年12月16日 · FRAM是一种非易失性存储技术，它结合了RAM的高速读写能力和闪存的非挥发性特点。这种内存类型在断电后仍能保持数据，而且其写入速度和耐用性远超传统闪存。 描述中的"FRAM driver for MIMC200 board driver"进一步...

2024年6月2日 · FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电随机存取存储器）和 MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器）的主要区别在于它们的存储原理和特性。

2020年8月18日 · mram（磁性只读存储器）和fram（铁电ram）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。 它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。

2023年1月3日 · 新型存储器以四大主流技术路线为主：PCM、RRAM、MRAM、FeRAM，其具备读写速度快、低功耗、非易失性等优点。 一、相变存储器PCM. 相变存储器，Phase-change RAM，简称PCM或PCRAM。 由于英特尔的Optane产品的面世，相变内存（PCM 或 PRAM）已成为走得最快的新型存储。 PCM的原理是：标准 CMOS 逻辑芯片上方的硫属化物玻璃材料因电流注入产生的剧烈的热量呈现不同的相态，从而表现出不同的阻抗和反射率，变为导电或电阻。 …

2024年1月9日 · M RAM （磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。 它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。 由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1 晶体管 –1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。 由 …