FinFET的继任者：详解GAA晶体管 - 知乎 - 知乎专栏
2020年9月29日 · 鳍式晶体管的尺寸缩小的一个重要衡量参数就是鳍线（Fin Line）和栅线（Gate Line）的重复周期。 其中鳍线的周期是半导体器件中所有结构中最小的周期，而栅线的周期对 …
展望来年3nm之争，GAAFET为何输给FinFET？（中）-电子工程专辑
2022年3月24日 · GAA结构晶体管的本质，就是把FinFET的fin转90°，然后把多个fin横向叠起来，这些fin都穿过gate——或者说被gate完全环抱，所以叫做gate all around；另外每个翻转过 …
拯救摩尔定律：一文讲解GAA 芯片技术 - 知乎 - 知乎专栏
GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。
FinFET接班人，详解GAA的机遇和挑战 - 知乎 - 知乎专栏
全环栅 (GAA)纳米片场效应晶体管 (FET)是一种创新的下一代晶体管器件，已被业界广泛采用，以继续超越5纳米的技术节点和 FinFET 的逻辑扩展。 虽然全环栅晶体管的研究已经有很多年 …
晶体管架构世代交替——由FinFET到GAAFET-电子工程专辑
2024年11月11日 · 我们将6T-SRAM的单元用红色虚线方框标示发现，4nm FinFET与3nm MBCFET架构在其单元内分别包含6根与4根Fin，而在横轴方向都是包含两个多晶硅栅极(Poly …
FinFET to GAA MBCFET: A Review and Insights - IEEE Xplore
This review article presents a journey from Fin-shaped field effect transistor (FinFET) to gate-all-around multi-bridge channel field effect transistor (GAA MBCFET) technology, unraveling the …
解决漏电的终极方案：环绕式栅极(GAA) - 电子工程专辑 ...
2024年10月17日 · 鳍式晶体管架构是将原本平面的源极（Source）和漏极（Drain）转变成立体结构，让栅极（Gate）三面包覆通道，使得栅极与通道之间的接触面积变大，提升栅极控制电子 …
GAAFET与FinFET架构 - 吴建明wujianming - 博客园
2022年1月4日 · 三星押注环绕闸极（GAA）架构，宣称在GAA研发进度领先台积电；台积电则延续先前采用的鳍式场效电晶体（FinFET）架构，最快2纳米才评估导入GAA架构。 对于三星发 …
三代FET技术盘点：MOSFET/FINFET/GAA FET - 知乎 - 知乎专栏
GAA-FET，即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET)，该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能，从而突破FinFET的性能限制。 简言之， GAA技术 让晶体管得以 …
FinFET到GAA：先进制程，先要“支棱起来”-电子工程专辑
2023年6月2日 · Gate-all-Around a.k.a GAA（全环绕栅） 是FinFET技术的终极进化版。 通过堆叠多个水平的纳米线， 让栅极包裹无死角， 精确控制电流通道，打破漏电“魔咒”。 由于GAA …