GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。

2020年9月29日 · 正是基于这一原因， 全环绕栅极晶体管 （Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的 三星晶圆制造论坛 （Samsung Foundry Forum）上，三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的 台积电第26届技术研讨会 上，台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产，尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· …

In this study, we have fabricated n-type lateral SiC JFETs with gate-all-around (GAA) structures to maximize their transconductance coefficients. The GAA structure was formed by high-energy Al ion implantation for the bottom layer and tilted one just after SiC gate etching for the side layers on the n-epitaxial layer of 4H-SiC.

GAA-FET，即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET)，该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能，从而突破FinFET的性能限制。 简言之， GAA技术 让晶体管得以承载更多电流，同时晶体管尺寸保持相对较小。

Gate-all-around FET (GAA FET) is a modified transistor structure where the gate contacts the channel from all sides. It’s basically a silicon nanowire with a gate going around it. In some cases, the gate-all-around FET could have InGaAs or other III-V materials in the channels.

Abstract: Gate-all-around (GAA) is a promising MOSFET structure to continue scaling down the size of CMOS devices beyond 7 nm technology node. This paper gives an overview of different types of GAAFETs including lateral and vertical channel orientations, and nanowire (NW) and nanosheet (NSH) channel structures.

2022年3月24日 · 三星宣传中的GAA结构晶体管叫做MBCFET，multi-bridge channel FET。此前三星曾表示：“MBCFET技术是进入生产和量产的卓越进步。实现了出色的器件特性。我们用一颗256Mb SRAM测试芯片和一颗逻辑测试芯片，来推动3nm工艺生产的准备工作。

2023年10月22日 · 正是基于这一原因，全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的三星晶圆制造论坛（Samsung Foundry Forum）上，三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的台积电第26届技术研讨会上，台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产，尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· 梅 …

2024年11月15日 · The research results showed that the GAA-structure JFET exhibited performance improvements in drain current, subthreshold swing (SS) transconductance (gm), and mobility, achieving enhancements ranging from a minimum of 1.2 times to a maximum of 10 times compared to conventional JFET.

2024年4月15日 · gaa栅极环绕晶体管结构的栅极在垂直方向被分成几个条带ribbonfet，在其沟道区域，大幅增强对载流子控制，从而实现更好性能，同时也更容易优化工艺。 gaa纳米片fet的集成 gaa纳米片fet的集成涉及几个新步骤，需要一系列创新才能实现该技术。关键集成模块如下：