
拯救摩尔定律:一文讲解GAA 芯片技术 - 知乎 - 知乎专栏
GAA 全称 Gate-All-Around ,是一种环绕式栅极技术晶体管,也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早,比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。
FinFET的继任者:详解GAA晶体管 - 知乎 - 知乎专栏
2020年9月29日 · 正是基于这一原因, 全环绕栅极晶体管 (Gate-All-Around FET)被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的 三星晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum)上,三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构,转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的 台积电第26届技术研讨会 上,台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产,尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· …
Fabrication of the SiC Gate-All-Around JFET - IEEE Xplore
In this study, we have fabricated n-type lateral SiC JFETs with gate-all-around (GAA) structures to maximize their transconductance coefficients. The GAA structure was formed by high-energy Al ion implantation for the bottom layer and tilted one just after SiC gate etching for the side layers on the n-epitaxial layer of 4H-SiC.
三代FET技术盘点:MOSFET/FINFET/GAA FET - 知乎 - 知乎专栏
GAA-FET,即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管(FET),该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能,从而突破FinFET的性能限制。 简言之, GAA技术 让晶体管得以承载更多电流,同时晶体管尺寸保持相对较小。
Gate-All-Around FET (GAA FET) - Semiconductor Engineering
Gate-all-around FET (GAA FET) is a modified transistor structure where the gate contacts the channel from all sides. It’s basically a silicon nanowire with a gate going around it. In some cases, the gate-all-around FET could have InGaAs or other III-V materials in the channels.
Scaling Beyond 7nm Node: An Overview of Gate-All-Around FETs
Abstract: Gate-all-around (GAA) is a promising MOSFET structure to continue scaling down the size of CMOS devices beyond 7 nm technology node. This paper gives an overview of different types of GAAFETs including lateral and vertical channel orientations, and nanowire (NW) and nanosheet (NSH) channel structures.
展望来年3nm之争,GAAFET为何输给FinFET?(中)-电子工程专辑
2022年3月24日 · 三星宣传中的GAA结构晶体管叫做MBCFET,multi-bridge channel FET。此前三星曾表示:“MBCFET技术是进入生产和量产的卓越进步。实现了出色的器件特性。我们用一颗256Mb SRAM测试芯片和一颗逻辑测试芯片,来推动3nm工艺生产的准备工作。
[GAA系列]详解台积电2纳米制程中的全环绕栅极(Gate-All …
2023年10月22日 · 正是基于这一原因,全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around FET)被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的三星晶圆制造论坛(Samsung Foundry Forum)上,三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构,转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的台积电第26届技术研讨会上,台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产,尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· 梅 …
Performance Enhancement of MoSe2 and WSe2 Based Junction …
2024年11月15日 · The research results showed that the GAA-structure JFET exhibited performance improvements in drain current, subthreshold swing (SS) transconductance (gm), and mobility, achieving enhancements ranging from a minimum of 1.2 times to a maximum of 10 times compared to conventional JFET.
告别泄露和信号干扰,GAA渐渐成为主流标准? - seccw
2024年4月15日 · gaa栅极环绕晶体管结构的栅极在垂直方向被分成几个条带ribbonfet,在其沟道区域,大幅增强对载流子控制,从而实现更好性能,同时也更容易优化工艺。 gaa纳米片fet的集成 gaa纳米片fet的集成涉及几个新步骤,需要一系列创新才能实现该技术。关键集成模块如下: