In this work, scaled single-channel In2O3 nanoribbon FETs with gate-all-around (GAA) structure and various channel length (Lch) of 40 nm – 1 μm and channel width. (Wch) of 30 nm – 1 μm …
Estimating crystal heights of GAA device from 2D SEM images
2025年2月26日 · In this study, we propose a method that predict structure height from Scanning Electron Microscope (SEM) images. We utilized own developed Technology Computer-Aided …
[GAA系列]详解台积电2纳米制程中的全环绕栅极（Gate-All …
2023年10月22日 · 正是基于这一原因，全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的三星晶圆制造论坛（Samsung Foundry Forum）上， …
南京大学余林蔚教授团队：基于可生长集成纳米线沟道的高性能GAA …
2025年3月2日 · 近日，南京大学余林蔚教授团队在Nano-Micro Letters 上发表了一篇重要论文，报道了他们在高性能环绕栅极场效应晶体管（Gate-All-Around Field-Effect Transistors, GAA …
SEM and transmission electron microscopy (TEM) images of stacked GAA …
In this paper, we propose a novel type of Gate All Around Nanosheet Field Effect Transistor (GAA NS FET) that incorporates source heterojunctions and strained channels and substrate.
拯救摩尔定律：一文讲解GAA 芯片技术 - 知乎 - 知乎专栏
GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。
南京大学余林蔚教授团队新突破：基于生长集成纳米线沟道的高性能GAA …
2025年2月24日 · 通过开发原位纳米线沟道悬空释放技术，并结合优化的源漏金属接触工艺，团队首次实现了基于可定位催化生长制备的硅纳米线高性能GAA-FET器件。 该器件展现出卓越的 …
Metrology Solutions for Gate-All-Around Transistors in High …
2020年10月1日 · Gate-all-around (GAA) transistors offer significant performance advantages at advanced nodes, but only at the cost of significant increases in process complexity. …
Microscope, SEM and TEM images of stacked GAA Si NSs
Through a small modification on the fabrication process of general gate-all-around (GAA) nanosheet FETs (NSFETs), the special fishbone-like channel composed of vertically stacked …
解决漏电的终极方案：环绕式栅极(GAA) - 电子工程专辑 ...
2024年10月17日 · 鳍式晶体管架构是将原本平面的源极（Source）和漏极（Drain）转变成立体结构，让栅极（Gate）三面包覆通道，使得栅极与通道之间的接触面积变大，提升栅极控制电子 …