2021年4月28日 · 掠入射X射线衍射 (GIXRD)是一种让×射线略过样品表面的技术，这种技术能够更真实全面地表征出薄膜（特别是共辄聚合物薄膜)的微结构。 掠入射XRD（GIXRD）是专门用来测试薄膜样品的手段。 测试光是平行光，相对于常规的衍射光来说能量较小，因此掠入射测试XRD的谱图绝对峰强相对较弱。 但是平行光可以更好的关注薄膜表面的信息，也不容易测到基底，因此掠入射XRD专门用于测试薄膜样品。 薄膜尺寸没有特别要求，但是需要测试面平整光洁，不要 …

2023年12月6日 · 薄膜掠入射衍射（GID：Grazing Incidence X-RayDiffffraction）很好的解绝了以上问题。 所谓掠入射是指使X射线以非常小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角较大减小了在薄膜中的穿透深度 。 同时低入射角较大增加了X射线在样品上的照射面积，增加了样品参与衍射的体积。 这里有两点说明：GID需要专门的硬件配置；常规GID只适合多晶薄膜和非晶薄膜，不适合单晶外延膜。 本文介绍了GID在薄膜结构分析中的作用，文中GID数据是在布鲁克D8 …

Grazing incidence diffraction (GID) is a technique for interrogating a material using small incidence angles for an incoming wave, often leading to the diffraction being surface sensitive. It occurs in many different areas:

掠入射X射线衍射 (GIXRD)是一种让×射线略过样品表面的技术，这种技术能够更真实全面地表征出薄膜（特别是共辄聚合物薄膜)的微结构。 测试光是平行光，相对于常规的衍射光来说能量较小，因此掠入射测试XRD的谱图绝对峰强相对较弱。 但是平行光可以更好的关注薄膜表面的信息，也不容易测到基底，因此掠入射XRD专门用于测试薄膜样品。 薄膜尺寸没有特别要求，但是需要测试面平整光洁，不要有遮挡物，这样测试结果才真实可信。 1，请确保测试的样品表面光滑平 …

In Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD), a beam of X-rays is directed onto a sample at a very low angle of incidence, typically less than one degree, which causes the X-rays to interact with only the top few nanometers of the material.

2024年9月18日 · X射线衍射（XRD）技术是一种重要的材料分析方法，广泛应用于材料科学、化学、物理学等领域。 它通过分析X射线在晶体材料中的衍射现象，获取物质的晶体结构、晶粒尺寸、应变等信息。

2024年2月29日 · In this Primer, grazing incidence X-ray diffraction (GIXD) is comprehensively introduced, starting from basic considerations on X-ray diffraction at crystals with reduced dimensionality and the...

2008年11月7日 · 掠入射X射线衍射（GID）就是入射X射线掠入射到样品表面，经过样品表面层（表面薄膜）衍射后再掠出射出来，测量出射的信号强度，这种方式测量时其入射－－衍射线构成的平面基本平行于试样表面（夹角大约为掠入射角），衍射晶面垂直于试样表面，入射X射线穿透试样不深，测量对表面结构敏感，出射信号包含了大量的表面层散射信号。 而通常XRD测量时，一般来说入射－－衍射束构成的平面垂直于试样表面（晶面），这样X射线穿透样品较深，出射 …

Aeris Compact XRD 為一款高效能 X 光繞射儀，是使用 GIXRD 研究薄膜與表面結晶性質的理想工具。 具有多項進階功能，包括高解析度偵測器，電動樣品載台，以及一系列測量模式，可提供最大的靈活性和精確度。

Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXRD) is a specialized X-ray diffraction (XRD) technique used to identify the phase (s) present on thin films and coatings and to provide information on the crystallinity, crystallite size, lattice paraments and strain of the phase.