2012年5月28日 · The transconductance of an NMOS is $$ g_m = \frac{\partial i_d}{\partial V_{gs}} $$ Is the transconductance of a PMOS the same?

当栅极电压VG从0增加时会发生什么?由于栅极、介电体和衬底形成电容器，当VG变得更正时，p衬底上的空穴被排斥在栅极区域之外，留下负离子，从而反映栅极上的电荷。 换句话说，产生了一个 耗尽区 [图1]。 2.6 (b).在这种情况下，没有电流流动，因为没有可用的载流子。 (b).随着VG的增大，耗尽区宽度和氧化硅界面电位也随之增大。 从某种意义上说，该结构类似于由两个串联电容器组成的分压器：栅-氧化层-硅表面电容器和耗尽区电容器 [图2]。 2.6 (c)]。 当界面电 …

2009年12月5日 · 一直很疑惑，PMOS小信号的受控电流源方向如果也是从D到S的话，那么GM是负的？ 只是参考方向的问题，其实PMOS和NMOS的小信号是完全一样的。 这个问题有点意思呢。 gm=2*Id/ (Vgs-vth)而言，Id为正，overdrive也为正，这样nmos的gm也是真的哦。 这样我就疑惑跨导正负如何区分了呢？ 我也正想了解正负跨导的区分，求大神指导！ PMOS的跨导GM是正的还是负的？ 一直很疑惑，PMOS小信号的受控电流源方向如果也是从D到S的话，那么GM是 …

Determine gm from design objectives (dynamic range, bandwidth, ...) Long channel high intrinsic gain, good matching, ...

How gm/Id is an indicator of the mode of operation? This derivative is maximum in weak inversion region. The gm/Id ratio decreases as the operating point moves toward strong inversion. It is the maximum frequency beyond which MOS transistor will not act as amplifier.

2024年4月9日 · 让MOS管工作在放大区，通过Vgs电压控制 Id s电流，前端将PWM波转换成可调电压，控制BJT后级压降。 （P沟道是箭头向里，N沟道是箭头向外） 接着上次内容继续学习 gm / Id 的模拟集成电路设计方法，本次主要分享仿真使用的电路和仿真过程以及仿真结果的处理方法。 仿真电路图根据具体电路工作情况可以建立适当的仿真原理图用来绘出 gm / Id 与其它参数的曲线，作为设计时的参考。 实际上通过多次仿真发现，所需要的参数受MOS管的源漏电压和栅 …

The actual gm/Io versus IO curve can be obtained in two ways: either analytically, using a MOS transistor model that provides a continuous representation of the transistor current

2016年9月2日 · -IDp for PMOS (different sign) I think gm is positive for both because the gate voltage is probably considered negative too for PMOS, but you can check into this. Like Reply

2017年10月22日 · Try this video: Transconductance of MOS in strong inversion This video explains MOSFET gm from basic definitions and then explains the various equations. The basis is the following approximate equation for the drain current (Wikipedia): Taking the partial derivative gave gm as a function of (Vgs-Vth).

2021年1月5日 · 本文介绍了如何使用电路仿真来研究增强型PMOS电路的gm/Id特性。 通过固定源漏电压和栅宽，扫描栅端电压和栅长，绘制出用于设计参考的曲线。 文章详细阐述了设置仿真电路图、保存器件参数、计算设计参数和绘制仿真曲线的过程，以及利用参数扫描分析不同 ...