2024年3月31日 · 我们用GM/ID设计方法的时候，都说管子的本征增益由管子的长度L所决定，也就是我们会扫不同L的管子，大致看下哪一个的增益能满足自己的设计需求，很少去关注Vds的 …

2017年10月7日 · Ideally, 𝑔𝑚 should follow slope of Id-Vg curve. At higher Vgs, large transverse electric fields from gate to channel will pull the carriers more closer to oxide-channel interface, …

（Vd=Vs+Vds=Vs+ro*gm*Vs= (1+gm*ro)Vs， Vs=1/ (1+gm*ro)Vd） S到d，就是上面推导的common-gate的增益；d到s，就是反方向的common-gate增益。

2010年10月23日 · How can one estimate an acceptable Vov and Vds for a transistor such that Vds >= Vov is satisfied?

2023年4月11日 · 如果想把横坐标换成VGS，也就是不同VDS下器件的跨导随VGS变化的特性，直接Gm=permute (Gm)。 permute的作用是交换自变量的顺序。

If the small-signal voltage is really “small,” then we can neglect everything past the linear term -- where the partial derivative is defined as the transconductance, gm. i

2014年4月7日 · 1. The following hand calculations shows the DC and AC operations of SF. 2. First, get the operation points of the circuit. The threshold voltage of NMOS and PMOS is …

2020年4月11日 · Learn device model and simulator surely. it is a Compact Model based on Verilog-A description. You can extract gm and gds as internal calculation result, if you can …

2022年1月14日 · 学习了Chris讲解的gm/id仿真，这里进行一个简单的理论以及仿真过程复述。 当VDS给定时，看一下栅长不同时，截止频率随着Gmid变化的曲线。 可以看出栅长越长，截止 …

I would like to plot Gm vs. Vgs for different value of Vbs. Here is what I did. I performed DC sweep on Vgs and then plotted the drain current vs Vgs and then carried out derivative of ID with …