氮化镓 高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为 宽禁带 (WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。 GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的 电子迁移率 、 饱和电子速度 和 击穿电场 ，如图1所示。

2024年10月27日 · 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）是一种基于氮化镓（GaN）材料的高 性能 场效应晶体管。 GaN HEMT因其独特的物理和电气特性，在高频、高功率和高温应用中表现出色。 在拆解GaN HEMT时，我遇到的最大的困惑是：我感觉 SiC MOSFET的性能已经很不错了，和硅比起来，又耐温又耐压导通电阻还小还支持高频，那我们到底 为什么还要整出个GaN HEMT 来？ 总不能是闲得慌吧。

GaN HEMTs dramatically reduce switching loss compared to silicon MOSFETs. This translates to significantly improved efficiency in power supply systems.

基于GaN的HEMT市面上主要有两种，一种是基于沟道技术的增强型HEMT (e-HEMT)，另一种是级联型的HEMT (Cascode HEMT)。 相比级联型HEMT，增强型HEMT拥有更低的EMI，无反向恢复损耗，且拥有正的温度特性从而更容易并联使用。 下图展示了级联型HEMT结构。 GaN器件相比SiC和Si器件，拥有更低的导通电阻，更小的充电电容。 这些特性让GaN功率器件开关频率突破1MHz。 当然，实际考虑散热以及寄生参数等影响，目前如此高的频率还未形成产业化。 下面 …

HEMT is very different from MOSFET. For Id-Vd breakdown curv. s are rarely seen in the datasheet. Unlike silicon MOSFET, GaN. doesn’t have avalanche breakdown. Once GaN device breakdown, the device is destroyed, and the equipment is likely not fast.

2022年11月7日 · This review article will provide a basic overview of the various technological and scientific elements of the current GaN HEMT technology, where we summarize the recent and future potential market strategy of GaN HEMT power devices.

GaN based high electron mobility transistors (HEMTs) have demonstrated extraordinary features in the applications of high power and high frequency devices. In this paper, we review recent progress in AlGaN/GaN HEMTs, including the following sections. First, challenges in device fabrication and optimizations will be discussed.

2023年10月10日 · GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）是一种基于氮化镓半导体材料的高电子迁移率晶体管。 它是一种类似于MOSFET的晶体管，但是与传统的MOSFET相比，GaN HEMT在高频率和高功率应用方面具有更好的性能。

使用GaN HEMT可以大幅降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。 下表中对Si SJ（Super Junction：超级结）MOSFET、 SiC MOSFET 和GaN HEMT等功率器件的一般特性（650V电压级）进行了比较。 从表中可以看出，在适用GaN HEMT的中等耐压、中等功率范围，其开关特性优势显著。 *1： 表示开关性能的指数。 该值越小，开关性能越好。 *2： 设Si SJ MOSET的Ron･Qg和开关速度为1。 *3： GaN HEMT是漏-源之间没有寄生PN结，因此反向 …

2025年2月7日 · GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种基于第三代半导体材料的先进器件，其核心特性与应用如下： 结构与工作机制. GaN HEMT采用AlGaN/GaN异质结结构，通过极化效应在界面处形成二维电子气（2DEG），从而实现高电子迁移率（可达2000 cm²/Vs）。其典型结 …