
拯救摩尔定律:一文讲解GAA 芯片技术 - 知乎 - 知乎专栏
GAA 全称 Gate-All-Around ,是一种环绕式栅极技术晶体管,也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早,比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。
三代FET技术盘点:MOSFET/FINFET/GAA FET - 知乎 - 知乎专栏
GAA-FET,即环绕式栅极 (gate-all-around)场效晶体管 (FET),该技术透过降低供电电压以及增加驱动电流能力以提升性能,从而突破FinFET的性能限制。 简言之, GAA技术 让晶体管得以承载更多电流,同时晶体管尺寸保持相对较小。 比起FinFET具有两项独特的优势。 首先,GAA晶体管解决了泄漏电流的挑战,因为GAA通道采用水平架构。 GAA技术堆叠了多个水平纳米片或纳米线,并在每一侧面以栅极材料包围这些通道,因而实现了比FinFET更高的载流能力。 其 …
FinFET的继任者:详解GAA晶体管 - 知乎 - 知乎专栏
2020年9月29日 · 正是基于这一原因, 全环绕栅极晶体管 (Gate-All-Around FET)被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的 三星晶圆制造论坛 (Samsung Foundry Forum)上,三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构,转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的 台积电第26届技术研讨会 上,台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产,尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· …
晶体管架构世代交替——由FinFET到GAAFET-电子工程专辑
2024年11月11日 · 到了2023年,晶体管架构进一步演变为GAAFET,在GAAFET架构中,栅极以四个方向完整包覆通道,提供了更佳的控制能力,使其在面对更严峻的工艺挑战时晶体管仍然能稳定地提升其性能。 尽管GAAFET架构看似复杂,但有研究文章指出,GAAFET架构在工艺上仍有很大一部分沿用原有的FinFET架构的工艺,降低了晶圆代工厂在GAAFET架构的工艺研发上所面对的技术挑战。 为了更直观地了解这两种架构的差异,本文将利用高倍率的电子显微镜影像进行 …
世界首个2D GAAFET晶体管,问世!_腾讯新闻
3 天之前 · 1. 北京大学研究团队成功研制出世界上首个2d gaafet晶体管,实现了二维半导体在晶体管领域的创新。 2. 该团队已将其晶体管与英特尔、台积电、三星 ...
GAAFET (Gate-All-Around FET) 技术详解 - 百家号
gaafet技术,即门极全环绕场效应晶体管,是finfet技术的先进演化,具有栅极全环绕沟道、精准控制电流、提升性能并降低功耗等特点。 在高性能计算、移动设备、AI和IoT等领域具有广泛应用前景,但制造工艺复杂和成本高是挑战。
北大打造全球首例低功耗二维环栅晶体管,性能超三星台积电等产 …
1 天前 · 近日,北京大学团队造出世界首例低功耗二维环栅晶体管(2D GAAFET,gate-all-around field-effect transistor),并研制出一系列二维环栅逻辑器件,这一材料 ...
Chinese university designed 'world's first silicon-free 2D GAAFET ...
4 天之前 · GAAFET transistors are nothing new; the transistor technology is essential for fabricating microchips at 3nm and below. Peking's major innovation comes from the two-dimensional nature of their ...
MOSFET到GAAFET,三大工艺优缺对比 - 腾讯网
2022年10月28日 · GAAFET有两种结构,一种是使用纳米线(Nanowire)作为电子晶体管鳍片的常见GAAFET;另一种则是以纳米片(Nanosheet)形式出现的较厚鳍片的多桥通道场效应管MBCFET,这两种方式都可以实现3nm工艺节点,只是取决于制造商具体的设计。 从GAAFET到MBCFET,可以视为从二维到三维的跃进,能够改进电路控制,降低漏电率。 其中MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极接触面积,从而在性能、功耗控制上会更加出色。 三星表示传统 …
Chinese Researchers Develop No-Silicon 2D GAAFET
3 天之前 · The 2D GAAFET architecture circumvents the mobility degradation that plagues silicon in ultra-small geometries, allowing for continued performance scaling beyond current nodes. The development comes during China's intensified efforts to achieve semiconductor self-sufficiency, as trade restrictions have limited access to advanced lithography ...