2021年5月21日 · 为了满足这些日益增长的需求，LNA 和PA 制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓 (GaAs) 和用于PA 的氮化镓 (GaN)。 本文将介绍LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。

2016年4月8日 · Low-power 60 GHz low-noise amplifier (LNA) with a 9.379 dB peak gain and a 4.500 dB minimum NF is demonstrated in a GaAs Based technology. The LNA is composed of three stage of cascaded common-source stages with inductive degeneration technique.

This paper presents a millimeter-wave (mmW) wideband low noise amplifier (LNA) fabricated in 0.15 − μm GaAs pHEMT process. The LCπ -type input matching network and gain-distributed technique are utilized to achieve the wideband low noise and high-gain performance.

2024年1月30日 · This paper presents a GaAs-FET based LNA design for sub-6GHz 5G applications, providing the required gain and low noise figure. The LNA enhances linearity, reduces noise, and amplifies weak signals.

In this paper, a cryogenic low noise amplifier (LNA) consisting of three common-source stages is designed in a 70-nm GaAs metamorphic high electron mobility tra

2024年12月8日 · 为了满足这些日益增长的需求，LNA 和PA 制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓 (GaAs) 和用于PA 的氮化镓 (GaN)。 本文将介绍LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。 LNA 的灵敏作用. LNA 的作用是从天线获取极其微弱的不确定信号，这些信号通常是微伏数量级的信号或者低于-100 dBm，然后将该信号放大至一个更有用的水平，通常约为0.5 到1 V (图1)。 具 …

2011年12月9日 · 利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA-在通信接收器中低噪声放大器 (LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。 控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可靠的

SDSX的LNA系列产品，采用GaAs pHEMT工艺，基于自研的定制化管芯单元以及有源偏置的Cascode结构，实现超宽带、高增益、高线性度以及超低噪声。 极低的噪声系数和高线性使其适用于接收链路的第一级LNA场景，增益平坦度好使其也适用于宽带驱动放大器场景。 应用领域包括4G/5G基站、专网通讯、卫星导航、汽车电子、无线通用场景等。 部分LNA产品通过车规AEC-Q100认证，具备非常优异的可靠性和一致性。 LNA系列产品的管脚定义与业界主流方案兼 …

3 天之前 · The proposed LNA combines innovative techniques such as current reuse for narrowband operation and a double-resonance load network with resistive shunt feedback for ultra-wideband performance.

低噪声放大器（Low Noise Amplifier, LNA）通常用于无线电子系统的接收机前端之中，如我们在之前的推文 《1.3万字详解 射频微波芯片 设计基础知识》 中，我们详细讨论了射频发射机、接收机的常见架构，在接收机系统中，低噪声放大器常常为处于天线之后的第一个 ...