与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) FET 可提高功率密度和效率。 尽管 GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它门之间存在根本差异,因此分别适 …

BaligaFigureofMerit(FOM)=ε ... 1，Kevin J. Chen, Understanding the Dynamic Behavior in GaN-on-Si Power Devices and IC’s, Integrated Power Conversion and Power Management, 2018 …

相比于Si 和SiC MOSFETs , GaN Systems GaN 器件具有极优的FOM (RDS(ON)*QG ) 。 相同RDS(ON) 情况下,GaN器件所需注入的电荷量更少并且开关过程更快. • 当GaN 器件关断时( 死 …

gan hemt和gan mosfet是两种基于氮化镓（gan）材料的半导体器件，它们之间有以下几个区别： 结构不同： GaN HEMT是一种三极管结构，其结构包括一个源极、漏极和门极，而GaN …

2020年12月10日 · GaN power devices have better figure-of-merit (FOM, RDS(on)·QG) than silicon counterparts: in fact, this technology shows low specific RDS(on) and leakage, a high …

2022年5月12日 · Therefore, this paper aims to address this gap providing a comparative performance evaluation of state-of-the-art SiC and GaN 600/650V active switches. In …

™ 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 代表着一项重大工程进步。 这些非常耐用、可靠 的器件大大改善了即将实现的功率转换开关器件的品质因数 (FoM)。

2025年3月1日 · The DrGaN consists of a channel-length 50 nm GaN MOSHEMT power transistor with figure-of-merit (FOM) of 1.1 (m Ω-nC)-1 and total width of 470.59 mm, integrated with a …

2021年12月22日 · 与硅MOSFET相比，eGan晶体管在100V时提高了主要的FOM（即面积X 导通阻抗）达5倍。 这个改进实现了更小的尺寸和更低的成本，或在相同尺寸下实现更低的导通阻 …

2020年8月11日 · ti的 lmg341x 系列600v gan器件是业界领先的集成gan fet外加驱动器和保护功能的器件。 它是一个8mm x 8mm四方扁平无引线（QFN）多芯片模块（MCM），包括一 …