增强型GaN HFET实现方法及工作原理_GaNHEMT氮化镓科技汇
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（Hetero-junction Field Effect Transisitor，HFET）也称高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transisitor，HEMT），又称二维电子气场效应管（Two …
Application-based review of GaN HFETs - IEEE Xplore
Normally-off GaN-on-Si heterojunction field-effect transistors (HFETs) have been developed with up to 650 V blocking capability, fast switching, and low conduction losses in commercial …
Sentaurus Structure Editor入门2——GaN HFET - 简书
2020年5月29日 · 这次主要设计GaN-On-SiC HFET器件结构原理图： 仿真主要流程 器件尺寸预定义，主要是不同层的厚度与浓度 器件几何结构，包括钝化层，AlGaN/GaN势垒层，GaN...
Normally-off AlGaN/GaN HFET with p-type GaN Gate and AlGaN …
2010年8月9日 · P-GaN gate GaN transistors with AlGaN buffer will therefore yield higher breakdown voltages as compared to standard GaN buffer versions which results in an …
AlGaN／GaN异质结为基础的AlGaN／GaN场效应 晶体管(AlGaN／GaNHFET)具有高温、高压、高 频、抗辐射、高输出功率密度和高输出功率等优势， 正在逐步成为sj和GaAs功率器件的代 …
Integrated Circuit Implementation for a GaN HFET Driver Circuit
2010年7月12日 · Abstract: This paper presents the design and implementation of a new integrated circuit (IC) that is suitable for driving the new generation of high-frequency GaN …
sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（八） - CSDN博客
2024年4月12日 · 该方法基于 imec 的功能完备的逼真 GaN-HEMT，旨在为 GaN 基器件技术建立准确的仿真工具、方法和模型，并与硬件数据进行基准测试。 文章强调了与标准的硅和锗 …
GaN HFET新结构设计与研究-学位-万方数据知识服务平台
摘要：近年来，GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。 相比于传统的Si基器件，GaNHFET突显出更 …
凹槽栅增强型GaN HFET器件工艺流程_GaNHEMT氮化镓科技汇
在此基础上，可以整合出一套完整的凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET功率器件工艺流程。 其中，源漏电极欧姆接触采用高性能欧姆接触工艺；栅凹槽刻蚀采用两步刻蚀法工艺。
A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based …
2021年11月17日 · The AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET), a type of wide-bandgap semiconductor electronic device, has the advantages of high breakdown...