工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？ - 知乎专栏
与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图4所示。
与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) FET 可提高功率密度和效率。 尽管 GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它门之间存在根本差异,因此分别适 …
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你
2022年3月30日 · GaN和SiC晶体管正变得唾手可得，以应对汽车电气设备的挑战。GaN和SiC器件的主要卖点是这些优势： 高电压能力，有650 V、900 V和1200 V的器件。 更快的开关速度。 …
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC） - 知乎
2023年3月22日 · 为什么我们的充电器用的都是 GaN 而不是 SiC 呢？ 两者有一个很大的区别是 热导率。 这使得在高功率高温等极限场景应用中，SiC 占据统治地位；而 GaN 具有更高的电子 …
第三代半导体：SiC和GaN测试与应用，半导体功率器件测试座的 …
SiC模块工作电压可达1200V以上，GaN器件高频开关电流达10A级，测试座需具备低接触阻抗（＜5mΩ）、耐高压（≥800V）及抗大电流脉冲能力。 2. 高温环境适应性
Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial …
Abstract: We present a comprehensive review and outlook of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) transistors available on the market for current and next-generation power …
SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界 - 電子工程專輯
2023年2月3日 · 氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)半導體現已量產，並迅速擴張其市佔率。 據市場研究公司Yole稱，到2027年底，GaN和SiC元件將佔功率半導體市場的30%，並進而取代 …
GaN vs. SiC Transistors - Power Electronics News
2021年11月16日 · Two compound semiconductor devices that have emerged as solutions are gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) power transistors. These devices compete with …
GaN和SiC晶体管正变得唾手可得，以应对汽车电气设备的挑战。GaN和SiC器 件的主要卖点是这些优势： 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管之间的差异 作者：安森美
深度|GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？-电子工程专辑
2024年12月11日 · 与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图2所示。