2008年12月19日 · We propose a simplified reaction model for SiGe epitaxial growth by chemical vapor deposition (CVD). The SiH 4 and GeH 4 adsorption at vacant sites, the exchange …

2006年8月15日 · In this work, we investigate SiH 4 and GeH 4 dissociative adsorption reaction on the SiGe (001)-2 × 1 surfaces with and without hydrogen coverage using the DFT method. …

2019年12月2日 · Thanks to the presence of Ge atoms close to the surface, Si etching was indeed much faster with HCl+GeH 4 than with HCl. Performing those etches at 550 °C instead of 600 …

该模型使用广泛的实验数据进行验证，然后应用于研究在 200 mm 晶圆 Centura 反应器中从 SiH4、GeH4 和 H 2 的混合物中生长的 SiGe。 反应器中，获得沿晶片的生长速率和Ge分数d …

We propose a simplified reaction model for SiGe epitaxial growth by chemical vapor deposition (CVD). The SiH 4 and GeH 4 adsorption at vacant sites, the exchange reaction between SiH …

2010年12月6日 · 实验 发 现 ： 随 着生 长 温 度 的 升高 ， SiGe 合 金 中 Ge 原 于的 结合 率增 加到 最大 值 ， 然 后 减小 ； SiOe 合 金 的 生长速 率 在 随生 长温 度增 加过程 中存 在一 个最 …

本文使用快速热处理超计CVD方法,通过分解SiH4及GeH4气体生长SiGe合金层.俄歇电子能谱被用业检测SiGe合金层的厚度.实验发现:随着生长温度的升高,SiGe合金中Ge原子的结合率增加到 …

2008年12月1日 · We propose a simplified reaction model for SiGe epitaxial growth by chemical vapor deposition (CVD). The SiH4 and GeH4 adsorption at vacant sites, the exchange …

1997年5月1日 · In this paper, we study the growth of GeSi alloys on Ge substrates by Rapid Thermal Process, Very Low Pressure CVD method. The experimental results of the growth …

2011年1月1日 · Hartmann et al. (69) investigated the growth kinetics of Si and SiGe on Si(100), Si(110) and Si(111) substrates using dichlorsilane/ germane chemistry. in Fig. 6.8 the SiGe …