模拟IC笔记—ESD ggNMOS放电曲线 - 知乎 - 知乎专栏
当漏极电流继续增加，ggNMOS会进入二次击穿（Vt2，It2）状态，二次击穿通常是由NPN的VBE的负温度系数导致的：电流增大温度升高，VBEon减小，NPN电流进一步增大，如此往 …
浅谈ESD防护——NMOS的妙用 - u12u34的日志 - EETOP 创芯网论 …
2022年8月19日 · GGNMOS最关键的参数就是 Trigger Voltage 和 Holding Voltage ，至于第二次热击穿， 更多的受制于工艺。 工艺 线宽越大，二次击穿越大。 GGNMOS在应对正向ESD时表 …
ESD电路问题，关于GGNOMS的防护？ - 知乎
It2是GGNMOS的最大ESD电流，它代表了ESD保护器件的水平。 在深亚微米工艺中，为了抑制短沟道效应带来的热载流子效应和最小化I-V偏移，LDD结构被采用并起到了扩展源-漏极的作用 …
深亚微米CMOS技术中GGNMOS的ESD特性研究与分析 - 知乎
It2是GGNMOS的最大ESD电流，它代表了ESD保护器件的水平。 在深亚微米工艺中，为了抑制短沟道效应带来的热载流子效应和最小化I-V偏移，LDD结构被采用并起到了扩展源-漏极的作用 …
ESD保护电路概述（3） - 知乎专栏
GGNMOS在layout上采取多分支形状（finger-type），理想情况下，ESD放电时，所有finger同时开启，泄放电流。 但在实际工作中，由于工艺误差等，所有finger不是同时导通。 某些finger …
GGNMOS 作为BJT是一种击穿型(Breakdown Device )的工作机理[1, 2],依靠漏极与衬底之间的雪崩击穿触发后形成低阻通路泄放ESD 电流。 然而多指GGNMOS器件通常不能如愿以偿的均匀开 …
ESD implant Process - CSDN博客
2024年11月13日 · 当GGNMOS器件的漏极电压继续增加时，GGNMOS器件到达 (Vt2, It2)点。 当漏极电压达到Vt2时，It2是GGNMOS所能承受的最大ESD电流，是ESD保护器件的保护水平 …
多指条GGNMOS抗ESD设计技术-伟芯科技（绍兴）有限公司
栅极接地nMOSFET（ggnMOS）是构成ESD保护电路的一个重要组成部分，设计良好的ggnMOS不仅可以为内部电路提供基本的ESD保护，而且可以与其余电路单元一起组成稳定有 …
ESD防护设计—NMOS的妙用（一）_专业集成电路测试网-芯片测 …
目前主流的ESD-NMOS有两大设计思路：GGNMOS（Gate Ground NMOS），GCNMOS（Gate Couple NMOS）。 其中GGNMOS最为常见，设计最为简单。 但是其巨大的寄生电容使其 …
增强 ESD 能力的方法 - 电路-伟芯科技（绍兴）有限公司
2024年10月23日 · 为了增强esd鲁棒性，即增大esd设计窗口的面积，可以降低vt1或者增加it2。 通常使用多指状nmos以增加晶体管面积来增加it2。 ggnmos内部有一个寄生的二极管，在反向 …