2024年7月30日 · Candela 8520 集成了五种互补型检测技术。这些技术组合使用能够精细区分多类型缺陷，同时能抓取影响SiC衬底和SiC外延制程控制的关键表面形貌缺陷。 这些技术组合使用能够精细区分多类型缺陷，同时能抓取影响SiC衬底和SiC外延制程控制的关键表面形貌缺陷。

Candela 8520为氮化镓晶圆提供表面和光致发光的缺陷检测，对氮化镓位错、凹坑和孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的缺陷控制。 其功率应用包括基于碳化硅的透明晶圆检查和晶体缺陷分类，如基面位错、微管、堆叠层错缺陷、条形堆叠层错缺陷、晶界和位错，以及对三角形、胡萝卜形、滴落物和划痕等形貌缺陷进行检测。 Candela 8520第二代集成了表面与光致发光检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓的衬底和外延缺陷进行高级表征。

2020年8月27日 · Today KLA Instruments announced the Candela ® 8520 defect inspection system for power device applications. It is the successor to the Candela ® CS920 system, the first inspection system to integrate detection and classification of mission-critical topographic and crystallographic defects onto one platform.

Candela 8520 系统的多个检测通道使您能够了解与制程有关的问题 并识别影响良率的缺陷。该检测方法可在几分钟内实现高分辨率成像 ，并提供全晶圆范围的自动缺陷分类信息。 UserDefinedLotName. CS920. Defect Map. ParetoChart. Wafer ID <UserDefinedJobName> <Recip e Name> <MM/DD/YYYY> < HH ...

Candela 8520为氮化镓晶圆提供表面和光致发光的缺陷检测，对氮化镓位错、凹坑和孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的缺陷控制。 其功率应用包括基于碳化硅的透明晶圆检查和晶体缺陷分类，如基面位错、微管、堆叠层错缺陷、条形堆叠层错缺陷、晶界和位错，以及对三角形、胡萝卜形、滴落物和划痕等形貌缺陷进行检测。 功能. 应用 案 例. 行 业. 选项. Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。 …

The 8520 provides surface and photoluminescence defect inspection for GaN wafers, detecting and classifying GaN dislocations, pits and holes for GaN reactor defect control. Its power applications include SiC based transparent wafer inspection and classification of crystal defects such as BPDs (Basal Plane Dislocations), micropipes, stacking ...

Candela®8520第二代集成表面和光致发光检测系统专为功率器件市场和相关应用的衬底和外延缺陷的高级表征而设计。用统计过程控制（SPC）方法实现自动晶片检测可以显著减少由于外延缺陷引起的产量损失，较小化金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应器过程偏移 ...

Candela 8520为氮化镓晶圆提供表面和光致发光的缺陷检测，对氮化镓位错、凹坑和孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的缺陷控制。 其功率应用包括基于碳化硅的透明晶圆检查和晶体缺陷分类，如基面位错、微管、堆叠层错缺陷、条形堆叠层错缺陷、晶界和位错，以及对三角形、胡萝卜形、滴落物和划痕等形貌缺陷进行检测。 晶圆缺陷光学检测设备Candela8520的使用方法? KLACandela8520多少钱一台? 晶圆缺陷光学检测设备Candela8520可以检测什么？ 晶圆缺陷 …

Candela®8520第二代集成表面和光致发光检测系统专为功率器件市场和相关应用的衬底和外延缺陷的高级表征而设计。 用统计过程控制（SPC）方法实现自动晶片检测可以显著减少由于外延缺陷引起的产量损失，较小化金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应器过程偏移 ...

The 8520 provides surface and photoluminescence defect inspection for GaN wafers, detecting and classifying GaN dislocations, pits and holes for GaN reactor defect control.