• HBM has become the memory of choice for AI training applications in the data center • GDDR6 provides an “off-the-shelf” alternative for AI inference
HBM4加快着陆！ - 电子工程专辑 EE Times China
2024年9月27日 · HBM(高带宽内存) 绕过 X86 socket 连接的 DRAM 容量和带宽限制，将内存封装堆叠在逻辑层的顶部，并通过相互连接的 TSV 通道 ，将所有组件 链接到 GPU 。 …
HBM，大战打响 - 36氪
该 HBM 迭代将为每个堆栈提供 1.5 TB/s – 2+ TB/s 的带宽，容量范围为 36 GB 至 64 GB。 在美光科技试图弯道超车的时候，来自韩国的三星和SK海力士却不甘落后。
Micron's New HBM3 Gen2 is World's Fastest at 1.2 TB/s, Teases ... - Reddit
However, Micron still adheres to the standard 720um Z-height (thickness) of the final package. Micron also doubled the number of TSVs, which helps improve power efficiency due to …
HBM，大战打响-36氪
该 HBM 迭代将为每个堆栈提供 1.5 TB/s – 2+ TB/s 的带宽，容量范围为 36 GB 至 64 GB。 在美光科技试图弯道超车的时候，来自韩国的三星和SK海力士却不甘落后。
AI芯片“最强辅助”HBM，发展到哪一步？| 研报推荐 - 知乎
hbm芯片标准厚度为720um，预计2026年左右量产的第六代hbm4需要纵向垂直堆叠16层dram芯片，当前的封装技术很难让客户满意，所以混合键合的应用被认为是必然的趋势；
HBM先进封装研报分享(华金研报) - 百家号
2024年3月10日 · hbm芯片标准厚度为720um，预计2026年左右量产的第六代 hbm4需要纵向垂直堆叠16层dram芯片，当前的封装技术很 难让客户满意，所以混合键合的应用被认为是必然的 …
HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点 - 搜狐
2024年3月5日 · HBM芯片标准厚度为720um，预计2026年左右量产的第六代HBM4需要纵向垂直堆叠16层DRAM芯片，当前的封装技术很难让客户满意，所以混合键合的应用被认为是必然的 …
一文读懂高带宽内存家族：HBM、HBM2、HBM3 - 知乎
三星、SK 海力士、美光等厂商推出的 12 层堆叠 HBM3e 产品，容量最高达 36GB ，满足了大数据处理需求。 在研发和生产上， 三星 HBM3e 产品引脚速度 9.8Gbps，整体传输速率超 …
AI芯片“最强辅助”HBM，发展到哪一步？| 研报推荐|内存|hbm|存储 …
2024年3月11日 · 而高带宽存储器HBM（Highband Memory），使用硅通孔TSV和微凸块技术垂直堆叠多个DRAM，因此可以显著提升数据处理速度，同时性能提升的同时尺寸有所减少； …