D2W Hybrid Bonding Challenges for HBM Abstract: This paper addresses the key requirements for a successful Die-to-Wafer hybrid bonding process for die stacking. The paper delves into requirements, principles, challenges, and advancements made …

2023年9月13日 · 将两片以上不相同的晶圆通过金属互连的混合键合工艺（hybrid bonding），来实现三维集成，已经在集成电路工业上开始规模应用了。 最先采用这一技术手段的是 CMOS图像传感器 （image sensor），然后就延伸到3D NAND闪存工艺中，最杰出的代表是我国的长江存储（YMTC），据称其Cu接触的间距已经缩放到1微米以下。 可以说，YMTC具有自主IP的Xtacking架构，几乎是对hybrid bonding工艺应用到炉火纯青的结果，这跟他们技术和量产团 …

2024年8月11日 · CoW hybrid bonding is going to be critical to the future of high-bandwidth memory (HBM), according to several researchers at ECTC. HBM is a stack of DRAM dies—currently 8 to 12 dies high—atop ...

HBM== High Bandwidth Memory 是一款新型的CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），其实就是将很多个 DDR芯片 堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。先看个平面图：

Abstract—Due to nonmature wafer yield and customer demand for high-number die stacking, the chip-to-wafer stacking process with only known good die is a preferred solution to advanced memory products like high bandwidth memory (HBM). However, great challenges will arise if one wants to integrate it with the copper hybrid bonding technology.

2024年2月15日 · 混合键合（Hybrid Bonding）是一种先进的 集成电路 封装技术，主要用于实现不同芯片之间的高密度、高性能互联。 这种技术的关键特征是通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球（bump）互连，从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装，达到三维集成的目的。 在混合键合工艺中，两个或多个芯片的金属层（通常是铜层）被精密对准并直接压合在一起，形成直接电学接触。 为了保证良好的连接效果，需要在芯片表面进行特殊的处理，例 …

2024年11月27日 · TSV（Through Silicon Via）是HBM实现高带宽的基础技术，它通过在硅片上打通垂直通孔，将多个DRAM芯片堆叠在一起，并通过这些通孔实现芯片之间的高速信号传输。 相比传统的封装方式，TSV极大地缩短了信号传输路径，降低了延迟，同时也提升了带宽。 然而，TSV的实现并不简单。 首先是通孔的加工精度问题，TSV孔径通常只有几微米，深度却需要达到几十甚至上百微米，这对加工设备的精度和稳定性提出了极高要求。 其次是填充材料的选 …

2024年4月26日 · 相较于传统打线技术（Wire Bond）的“线连接”，Bump 技术“以点代 线”，在芯片上制造 Bump，连接芯片与焊盘，此种方法拥有更高的端口 密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导 性及可靠性，也是进行 FC（Flip Chip）倒装工艺在内的 ...

2024年9月3日 · 李康旭指出， HBM 是克服「記憶體牆」（Memory Walls）的最佳化解決方案，透過 I/O 並行化能力，使 HBM 成為 Al 系統中用於訓練和推斷的最高規格 DRAM。 根據應用產品（Application）不同，使用的 HBM 數也不同。

在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点 (solder bump)或微凸点（Micro bump）来实现芯片与基板，芯片与中介层 (interposer), 芯片与芯片间的电连接。 Solder bump/micro bump在制备工艺中都有植球的步骤，所植的球就是焊锡球（Solder bump），所以在Hybrid Bonding之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。 图1，Cu+Solder 统称为bump, 细分又可以分为Cu bump 和Solder Bump. 当然Solder bump是植在铜柱 （Copper bump）上的。