This paper reviews overall reliability of the advanced HBM with 17nm DRAM process from device level to product level. This includes the product aging focused on logic buffer die and environmental reliability of the integrated multi-layer structure.

2017年6月8日 · HBM (High Bandwidth Memory) is an emerging standard DRAM solution that can achieve breakthrough bandwidth of higher than 256GBps while reducing the power consumption as well. It has stacked DRAM architecture with core DRAM dies on top of a base logic die, based on the TSV and die stacking technologies.

HBM== High Bandwidth Memory 是一款新型的CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），其实就是将很多个 DDR芯片 堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。 先看个平面图： 中间的die是GPU/CPU，左右2边4个小die就是DDR颗粒的堆叠。 在堆叠上，现在一般只有2/4/8三种数量的堆叠，立体上最多堆叠4层. 最后BGA BALL 连接到PCB上。 2：HBM技术特色： 到现在为止生产的只有1-2代，第3代的SPEC刚刚被定义。 老铁们，1024位宽， 256Gbps带 …

HBM is a breakthrough memory solution for performance, power and form-factor constrained systems by delivering high bandwidth, Low effective power & Small form factor

2024年3月1日 · HBM即高带宽存储， 由多层DRAM Die垂直堆叠，每层Die通过TSV穿透硅通孔技术实现与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺寸于高带宽、高传输速度的兼容，成为高性能AI服务器GPU显存的主流解决方案。

2024年3月1日 · HBM即高带宽存储， 由多层DRAM Die垂直堆叠，每层Die通过TSV穿透硅通孔技术实现与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺存于高带宽、高传输速度的兼容，成为高性能AI服务器GPU显存的主流解决方案。

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HBM 高带宽存储突破性地堆叠 DRAM Die，实现小体积、高带宽和高速传输。 采用 TSV 技术，将多层 Die 连接至逻辑 Die，提供高达 800GB/s 的带宽，满足高性能 AI 服务器 GPU 需求。

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2024年8月19日 · 从生产流程来看，HBM采用3D堆叠结构，多片HBM DRAM Die堆叠在Logic Die（Die是指从硅晶圆上切割下来的单个未封装的芯片）上，Die之间通过TSV（硅通孔）和凸点互连。